[發(fā)明專利]一種Cu2

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810014685.3
• 申請(qǐng)日: 2018-01-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108039388A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許佳雄;林俊輝;莊楚楠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/072
• 分類號(hào): H01L31/072;H01L31/032
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 趙青朵

本發(fā)明提供了一種Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽(yáng)能電池，由依次復(fù)合的襯底、背電極、背表面場(chǎng)層、吸收層、緩沖層、窗口層和前電極組成；所述背表面場(chǎng)層為Cu2ZnSn(S,Se)4背表面場(chǎng)層或非晶硅背表面場(chǎng)層；所述吸收層為Cu2ZnSn(S,Se)4吸收層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽(yáng)能電池具有背表面場(chǎng)層，能夠擴(kuò)展Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽(yáng)能電池的內(nèi)建電場(chǎng)分布區(qū)域，提高Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽(yáng)能電池的總內(nèi)建電勢(shì)，形成光生少子勢(shì)壘，鈍化Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽(yáng)能電池背表面，從而使得到的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽(yáng)能電池具有良好的光伏特性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，是涉及一種

Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽(yáng)能電池及其制備方法。

背景技術(shù)

薄膜太陽(yáng)能電池相比第一代晶體硅太陽(yáng)能電池具有吸收層材料的吸收系數(shù)高、電池厚度薄、制備工藝簡(jiǎn)單、可制備在柔性襯底上、應(yīng)用領(lǐng)域廣、成本低廉等優(yōu)點(diǎn)。薄膜太陽(yáng)能電池包括非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、砷化鎵(GaAs)、碲化鎘(CdTe)、銅銦鎵硒(CuInxGa1-xSe2)等類型，其中 CuInxGa1-xSe2薄膜太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率已達(dá)到22.6％，接近單晶硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。但是，這些薄膜太陽(yáng)能電池仍存在包含有毒元素(Cd等) 或稀貴元素(In等)、材料成本難以有效降低、光致衰退等問(wèn)題。

近幾年，以化合物半導(dǎo)體Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜作為吸收層的太陽(yáng)能電池引起人們的廣泛關(guān)注，它采用glass/Mo/Cu2ZnSn(S,Se)4/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al 的基本結(jié)構(gòu)，具有吸收層材料的光吸收系數(shù)高、光學(xué)帶隙接近單結(jié)太陽(yáng)能電池吸收層的理論最優(yōu)帶隙值、吸收層不含有毒和稀貴元素等優(yōu)點(diǎn)，有望替代傳統(tǒng)的CuInxGa1-xSe2薄膜太陽(yáng)能電池。