[發(fā)明專利]一種Cu2

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810014685.3
• 申請日: 2018-01-08
• 公開（公告）號: CN108039388A
• 公開（公告）日: 2018-05-15
• 發(fā)明（設計）人: 許佳雄;林俊輝;莊楚楠
• 申請（專利權）人: 廣東工業(yè)大學
• 主分類號: H01L31/072
• 分類號: H01L31/072;H01L31/032
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙青朵

1.一種Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池，由依次復合的襯底、背電極、背表面場層、吸收層、緩沖層、窗口層和前電極組成；

所述背表面場層為Cu2ZnSn(S,Se)4背表面場層或非晶硅背表面場層；

所述吸收層為Cu2ZnSn(S,Se)4吸收層。

2.根據(jù)權利要求1所述的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池，其特征在于，所述Cu2ZnSn(S,Se)4吸收層的帶隙為1.0eV～1.5eV，空穴濃度為1×1016cm-3～1×1019cm-3，厚度為0.8μm～2μm。

3.根據(jù)權利要求1所述的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池，其特征在于，所述背表面場層為Cu2ZnSn(S,Se)4背表面場層；所述Cu2ZnSn(S,Se)4背表面場層的帶隙大于所述Cu2ZnSn(S,Se)4吸收層的帶隙，厚度為50nm～500nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池，其特征在于，所述背表面場層為非晶硅背表面場層；所述非晶硅背表面場層的空穴濃度大于所述Cu2ZnSn(S,Se)4吸收層的空穴濃度，厚度為5nm～50nm。

5.根據(jù)權利要求1所述的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池，其特征在于，所述襯底選自玻璃襯底、聚酰亞胺襯底、鉬箔襯底或鋁箔襯底。

6.根據(jù)權利要求1所述的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池，其特征在于，所述背電極選自Mo背電極或FTO背電極。

7.根據(jù)權利要求1所述的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池，其特征在于，所述緩沖層選自CdS緩沖層或In2S3緩沖層。

8.根據(jù)權利要求1所述的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池，其特征在于，所述窗口層由i-ZnO窗口層和ZnO:Al窗口層組成。

9.根據(jù)權利要求1所述的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池，其特征在于，所述前電極選自Ni-Al前電極或Al前電極。

10.一種權利要求1～9任一項所述的Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池的制備方法，包括以下步驟：

a)在襯底上依次復合背電極、背表面場層、吸收層、緩沖層、窗口層和前電極，得到Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜太陽能電池；

所述背表面場層為Cu2ZnSn(S,Se)4背表面場層或非晶硅背表面場層；

所述吸收層為Cu2ZnSn(S,Se)4吸收層。