[發明專利]形成對準掩模或一組對準掩模的方法、半導體裝置

有效

• 申請號: 201810014635.5
• 申請日: 2018-01-08
• 公開（公告）號: CN109786239B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 楊金成
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L21/68;H01L23/544
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

一種形成對準掩模的方法包括：在基底上刻蝕參考標記，以區分刻蝕區的邊界；使用曝光設定值在基底上形成刻蝕掩模，所述刻蝕掩模具有邊界；以及測量參考標記與所述邊界之間的距離。當所測量的距離超過目標距離的容限時，則自基底移除刻蝕掩模，改變曝光設定值，使用改變后的所述曝光設定值形成下一刻蝕掩模，并重復所述測量。可在一組層階中的頂部層階上刻蝕一組參考標記，以區分各刻蝕區的邊界。可執行刻蝕?修整制程以在所述一組層階中形成臺階，其中所述刻蝕?修整制程至少包括使用第一參考標記及第二參考標記的第一刻蝕?修整循環及第二刻蝕?修整循環。

技術領域

本發明技術大體而言是有關于高密度集成電路(integrated circuit，IC) 裝置，且更具體而言是有關于形成具有大尺寸的掩模的方法。

背景技術

在存儲器裝置的制造過程中，形成具有大尺寸的刻蝕掩模可能具有挑戰性。這是因為刻蝕掩模在兩個相對的邊界之間的尺寸可能過大而使得每次僅可在線(inline)監控所述兩個相對的邊界中的一個(例如使用在線掃描電子顯微鏡(scanning electronicmicroscope，SEM))。換句話說，刻蝕掩模的大尺寸圖案可能使得所述刻蝕掩模的兩個相對的邊界無法同時輕易地監控。因此，難以在線直接測量大的刻蝕掩模在兩個相對的邊界之間的尺寸及接續相應地調整所述刻蝕掩模之大小。當必須測量此種大尺寸時，制造商可能需要自制造生產線取出晶圓及使用專門的非在線測量設備。

期望提供一種可形成所詳述的具有可能難以在線測量的大尺寸的刻蝕掩模的技術。

發明內容

闡述一種形成對準掩模的方法。所述方法包括：在基底上刻蝕參考標記，以區分刻蝕區的邊界；使用曝光設定值(exposure setting)在所述基底上形成刻蝕掩模，所述刻蝕掩模具有邊界；以及測量所述參考標記與所述刻蝕掩模的所述邊界之間的距離。當所測量的所述距離超過目標距離的容限時，則可自所述基底移除所述刻蝕掩模，可改變所述曝光設定值，可使用改變后的所述曝光設定值形成下一刻蝕掩模，并可重復所述測量步驟。當所測量的所述距離處于所述容限內時，則可在刻蝕制程中使用所述刻蝕掩模。

所述曝光設定值可包括為形成所述刻蝕掩模而校準的曝光能量以及焦心點(focus center)。所述刻蝕制程可包括：使用所述刻蝕掩模在所述基底中刻蝕凹陷部，將所述參考標記轉移至所述凹陷部的底部。所述刻蝕制程可包括在所述凹陷部中形成存儲器陣列。

闡述一種裝置，所述裝置包括：基底，包括延伸至所述基底中的凹陷部；以及參考標記，位于所述凹陷部的底部上，所述參考標記與所述凹陷部的一側之間的距離處于目標距離的容限內。凹陷部的底部上的參考標記和所述凹陷部的一側之間的目標距離與基底的上表面上的參考標記和用于刻蝕所述凹陷部的刻蝕掩模的邊界之間的目標距離可為不同的且具有不同的值。凹陷部的底部上的參考標記和所述凹陷部的一側之間的目標距離的容限與基底的上表面上的參考標記和用于刻蝕所述凹陷部的刻蝕掩模的邊界之間的目標距離的容限可為不同的且具有不同的值。所述不同可歸因于所述刻蝕掩模的所述邊界的斜率、所述凹陷部的所述一側的斜率、或其他因素。所述參考標記可平行于所述凹陷部的所述一側設置。存儲器陣列可設置于所述凹陷部中。

闡述一種形成一組對準掩模的方法。所述方法包括：在基底上的一組層階(level)中的頂部層階上刻蝕一組參考標記，以區分各刻蝕區的邊界；以及執行刻蝕-修整制程，以在所述一組層階中的各層階處形成臺階，其中所述刻蝕-修整制程至少包括使用所述一組參考標記中的第一參考標記的第一刻蝕-修整循環及使用所述一組參考標記中的第二參考標記的第二刻蝕-修整循環。

所述第一刻蝕-修整循環可包括：使用第一曝光設定值在所述頂部層階上形成第一刻蝕-修整掩模，所述第一刻蝕-修整掩模具有第一邊界；以及測量所述一組參考標記中的所述第一參考標記與所述第一刻蝕掩模的所述第一邊界之間的第一距離。