[發(fā)明專利]蒸鍍掩模、蒸鍍掩模裝置的制造方法以及蒸鍍掩模的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810014059.4 | 申請日: | 2018-01-08 | 
| 公開(公告)號: | CN108286034B | 公開(公告)日: | 2020-06-02 | 
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 池永知加雄 | 申請(專利權(quán))人: | 大日本印刷株式會社 | 
| 主分類號: | G03F1/42 | 分類號: | G03F1/42;G03F1/44;G03F1/72;C23C14/04;C23C14/24 | 
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;鄧毅 | 
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蒸鍍掩模 裝置 制造 方法 以及 | ||
本發(fā)明提供蒸鍍掩模、蒸鍍掩模裝置的制造方法以及蒸鍍掩模的制造方法,在設(shè)從P1點至Q1點的尺寸為X1,設(shè)從P2點至Q2點的尺寸為X2,且設(shè)規(guī)定的值為αX時,蒸鍍掩模滿足并且滿足|X1?X2|≤60μm。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及蒸鍍掩模、蒸鍍掩模裝置的制造方法以及蒸鍍掩模的制造方法。
背景技術(shù)
近年,對于在智能手機或平板電腦等可移動設(shè)備中使用的顯示裝置,要求高精細化,例如要求像素密度為500ppi以上。另外,即使對于可移動設(shè)備,應對超高清的需要也在不斷高漲,這種情況下,要求顯示裝置的像素密度為例如800ppi以上。
在顯示裝置中,由于響應性良好、能耗低且對比度高,有機EL顯示裝置正在受到關(guān)注。作為形成有機EL顯示裝置的像素的方法,已知這樣的方法:使用形成有以所希望的圖案排列的貫通孔的蒸鍍掩模,以所希望的圖案形成像素。具體來說,首先,使蒸鍍掩模緊密貼合于有機EL顯示裝置用的基板,接著,將緊密貼合的蒸鍍掩模和基板一起放入蒸鍍裝置中,執(zhí)行使有機材料蒸鍍到基板上的蒸鍍工序。這種情況下,為了精密地制作具有高像素密度的有機EL顯示裝置,要求按照設(shè)計精密地再現(xiàn)蒸鍍掩模的貫通孔的位置或形狀。
作為蒸鍍掩模的制造方法,已知如下的方法:例如如專利文獻1所公開的,通過使用了光刻技術(shù)的蝕刻,在金屬板上形成貫通孔。例如,首先,通過曝光/顯影處理在金屬板的第1面上形成第1抗蝕劑圖案,另外,通過曝光/顯影處理在金屬板的第2面上形成第2抗蝕劑圖案。接下來,對金屬板的第1面中的未被第1抗蝕劑圖案覆蓋的區(qū)域進行蝕刻,在金屬板的第1面上形成第1開口部。然后,對金屬板的第2面中的未被第2抗蝕劑圖案覆蓋的區(qū)域進行蝕刻,在金屬板的第2面上形成第2開口部。此時,通過以使第1開口部和第2開口部互相連通的方式進行蝕刻,由此能夠形成貫通金屬板的貫通孔。用于制作蒸鍍掩模的金屬板例如可以通過對鐵合金等母材進行軋制來獲得。
作為其它的蒸鍍掩模的制造方法,已知如下的方法:例如如專利文獻2所公開的,利用鍍覆處理來制造蒸鍍掩模。例如在專利文獻2所記載的方法中,首先,準備具有導電性的基材。接下來,通過曝光/顯影處理,在基材上形成隔開規(guī)定的間隙配置的抗蝕劑圖案。該抗蝕劑圖案被設(shè)置于待形成蒸鍍掩模的貫通孔的位置處。然后,將鍍覆液供給至抗蝕劑圖案的間隙中,通過電鍍處理在基材上析出金屬層。然后,使金屬層從基材分離,由此能夠得到形成有多個貫通孔的蒸鍍掩模。
專利文獻1:日本特許第5382259號公報
專利文獻2:日本特開2001-234385號公報
在使用蒸鍍掩模來使蒸鍍材料在基板上成膜的情況下,蒸鍍材料不僅附著于基板上,也附著于蒸鍍掩模上。例如,在蒸鍍材料中,也存在沿著相對于蒸鍍掩模的法線方向大幅地傾斜的方向朝向基板的蒸鍍材料,但這樣的蒸鍍材料在到達基板之前到達并附著于蒸鍍掩模的貫通孔的壁面上。這種情況下,在基板中的位于蒸鍍掩模的貫通孔的壁面附近的區(qū)域中,蒸鍍材料難以附著,其結(jié)果是,可以想到:附著的蒸鍍材料的厚度比其它部分小,或者產(chǎn)生未附著蒸鍍材料的部分。即,可以認為,蒸鍍掩模的貫通孔的壁面附近的蒸鍍變得不穩(wěn)定。因此,在為了形成有機EL顯示裝置的像素而使用了蒸鍍掩模的情況下,像素的尺寸精度或位置精度低下,其結(jié)果是,有機EL顯示裝置的發(fā)光效率變得低下。
為了解決這樣的課題,可以考慮減小用于制造蒸鍍掩模的金屬板的厚度。這是因為,通過減小金屬板的厚度,能夠減小蒸鍍掩模的貫通孔的壁面的高度,由此,能夠降低蒸鍍材料中的附著于貫通孔的壁面上的蒸鍍材料的比例。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





