[發明專利]一種改善LED發光波長的方法及其裝置

在審

• 申請號: 201810012662.9
• 申請日: 2018-01-06
• 公開（公告）號: CN108281366A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 李丹丹
• 申請（專利權）人: 李丹丹
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提供了一種改善LED發光波長的方法及其裝置，所述方法包括獲取一溫度，該溫度為載片盤表面溫度或襯底表面溫度；獲取襯底翹曲度；根據獲取的襯底翹曲度與預設襯底翹曲度對比并對預設溫度進行修正，得一修正溫度；根據獲取的溫度與修正溫度利用PID控制使輸出溫度等于修正溫度。本發明利用不同批次間襯底翹曲度的不同對預設溫度進行修正，得一修正溫度，再利用溫控器使輸出溫度等于修正溫度從而使前后批次制得的LED外延片發光波長保持一致，避免了來料不穩所產生的產品規格參數波動，提高了產品良率。

技術領域

本發明涉及照明技術領域，具體涉及一種改善LED發光波長的方法及其裝置。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，LED)由于具有壽命長、耗能低等優點，廣泛應用于各種領域。尤其隨著發光二極管照明性能指標的大幅度提高，發光二極管常用于發光裝置。其中，以氮化鎵(GaN)為代表的III-V族化合物半導體由于具有帶隙寬、發光功率高、電子飽和漂移速度高、化學性質穩定等特點，在高亮度藍光發光二極管、藍光激光器等光電器件等領域有著巨大的應用潛力，引起了人們的廣泛關注。

氮化鎵(GaN)發光二極管的基本結構包括P型氮化鎵層和N型氮化鎵層構成的PN結。發光效率和發光波長是發光二極管的重要性質。為了增加發光二極管的發光效率并控制發光波長，量子阱結構被引入發光二極管中，即在P型氮化鎵層和N型氮化鎵層之間形成一層量子阱結構。

量子阱結構是由兩種不同材料薄層相間排列形成的、具有明顯量子限制效應的電子或空穴的量子阱，這兩種不同材料薄層分別為壘層和阱層。發光層能夠有效提高發光二極管的發光效率，并可以形成波長可調的二極管。

在通過MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機物化學氣相沉積)設備/工藝進行LED外延片制備時利用在襯底材料上沉積GaN實現異質外延。由于異質外延襯底和GaN之間的晶格失配以及熱形變差產生的應力會使外延片發生翹曲現象，翹曲使得在后續生長發光層時，外延片中心位置比邊緣更靠近或緊挨石墨盤的表面，從而使中心部分溫度高于邊緣部分，最終導致生長發光層后的外延片中心部分的發光波長要比邊緣部分短。

申請號CN201210051923.0公開了一種降低LED外延翹曲應力的方法，在沉積GaN層由三維生長向二維生長轉變過程中，插入超晶格結構，調節釋放二維生長的GaN外延層與襯底之間的翹曲應力，進而改善外延片生長發光層時的翹曲程度，從而降低生長發光層后的外延片中心部分和邊緣部分的波長差，改善外延片的波長均勻性，進而提高外延片的波長良品率。

工業化量產過程中，保持不同批次間產品性能指標的前后一致性是業界長期追求的目標。在連續生產時，襯底材料、沉積時工藝條件的波動，都會使得不同批次間(具體表現為不同爐次間)外延片發生不同程度的翹曲，這樣即使通過申請號CN201210051923.0公開的降低LED外延翹曲應力的方法對波長均勻性進行改善，依然不能實現由于不同批次間不同程度的翹曲導致的外延波長波動，因而需要一種能夠提高不同批次間LED發光波長的方法及其裝置。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種改善LED發光波長的方法及其裝置，能夠有效的改善不同批次間LED發光波長的一致性，提高產品良率。

本發明所要解決的技術問題采用以下技術方案來實現：

一種改善LED發光波長的方法，包括以下步驟：

獲取一溫度，該溫度為載片盤表面溫度或襯底表面溫度；

獲取襯底翹曲度；

根據獲取的襯底翹曲度與預設襯底翹曲度對比并對預設溫度進行修正，得一修正溫度；

根據獲取的溫度與修正溫度利用PID控制使輸出溫度等于修正溫度。