[發(fā)明專利]一種改善LED發(fā)光波長的方法及其裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810012662.9
• 申請日: 2018-01-06
• 公開（公告）號: CN108281366A
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李丹丹
• 申請（專利權(quán)）人: 李丹丹
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種改善LED發(fā)光波長的方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取一溫度，該溫度為載片盤表面溫度或襯底表面溫度；

獲取襯底翹曲度；

根據(jù)獲取的襯底翹曲度與預(yù)設(shè)襯底翹曲度對比并對預(yù)設(shè)溫度進行修正，得一修正溫度；

根據(jù)獲取的溫度與修正溫度利用PID控制使輸出溫度等于修正溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的一種改善LED發(fā)光波長的方法，其特征在于，當獲取的溫度為載片盤表面溫度時，若獲取的襯底翹曲度大于預(yù)設(shè)襯底翹曲度，修正溫度小于預(yù)設(shè)溫度。

3.如權(quán)利要求1所述的一種改善LED發(fā)光波長的方法，其特征在于，當獲取的溫度為襯底表面溫度且為襯底表面中心溫度時，若獲取的襯底翹曲度大于預(yù)設(shè)襯底翹曲度，修正溫度大于預(yù)設(shè)溫度。

4.如權(quán)利要求1所述的一種改善LED發(fā)光波長的方法，其特征在于，當獲取的溫度為襯底表面溫度且為襯底表面邊緣溫度時，若獲取的襯底翹曲度大于預(yù)設(shè)襯底翹曲度，修正溫度小于預(yù)設(shè)溫度。

5.如權(quán)利要求2至4任一所述的一種改善LED發(fā)光波長的方法，其特征在于，所述修正溫度小于或大于預(yù)設(shè)溫度0～20℃。

6.如權(quán)利要求1所述的一種改善LED發(fā)光波長的方法，其特征在于，所述溫度為沉積量子阱層時載片盤表面溫度或襯底表面溫度，所述襯底翹曲度為沉積量子阱層時襯底翹曲度。

7.如權(quán)利要求6所述的一種改善LED發(fā)光波長的方法，其特征在于，獲取所述載片盤表面溫度或襯底表面溫度與獲取所述襯底翹曲度為同時獲取的同一量子阱層的載片盤表面溫度或襯底表面溫度與襯底翹曲度。

8.如權(quán)利要求6或7所述的一種改善LED發(fā)光波長的方法，其特征在于，所述量子阱層為靠近N型GaN層一側(cè)的量子阱層。

9.一種改善LED發(fā)光波長的裝置，其特征在于，包括：溫度探測模塊，翹曲探測模塊，加熱模塊，溫控器；所述溫度探測模塊、翹曲探測模塊、加熱模塊分別與所述溫控器連接；

所述溫度探測模塊用于探測載片盤表面溫度和/或襯底表面溫度；

所述翹曲探測模塊用于探測襯底翹曲度；

所述加熱模塊用于輸出溫度并對載片盤加熱；

所述溫控器根據(jù)所述翹曲探測模塊探測的襯底翹曲度與預(yù)設(shè)襯底翹曲度對比并對預(yù)設(shè)溫度進行修正，得一修正溫度，再根據(jù)所述溫度探測模塊探測的溫度與所述修正溫度利用PID控制使所述加熱模塊輸出溫度等于修正溫度。

10.如權(quán)利要求9所述的一種改善LED發(fā)光波長的裝置，其特征在于，所述翹曲探測模塊包括激光發(fā)射模塊和與所述激光發(fā)射模塊連接并與激光發(fā)射模塊具有固定位置關(guān)系的激光接收模塊，所述激光接收模塊與所述溫控器連接。