[發(fā)明專利]一種共柵晶體管、像素電路、像素結(jié)構(gòu)及顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810012354.6
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN108461493A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周興雨
• 申請（專利權(quán)）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;G09G3/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種共柵晶體管，其特征在于，包括：

獨立設(shè)置的第一電極區(qū)、第二電極區(qū)和第三電極區(qū)，以及與所述第一電極區(qū)、第二電極區(qū)和第三電極區(qū)相接觸的共柵極區(qū)；

所述共柵極區(qū)、所述第一電極區(qū)和所述第二電極區(qū)構(gòu)成所述第一晶體管；

所述共柵極區(qū)、所述第一電極區(qū)和所述第三電極區(qū)構(gòu)成所述第二晶體管。

2.如權(quán)利要求1所述的共柵晶體管，其特征在于，所述第二電極區(qū)和所述第三電極區(qū)的電學性質(zhì)相同。

3.如權(quán)利要求1所述的共柵晶體管，其特征在于，所述第二電極區(qū)和所述第三電極區(qū)在所述共柵極區(qū)的兩側(cè)對稱設(shè)置。

4.如權(quán)利要求1所述的共柵晶體管，其特征在于，所述共柵極區(qū)包括第一柵極區(qū)和第二柵極區(qū)；

所述第一晶體管的柵極區(qū)包括所述第一柵極區(qū)；

所述第二晶體管的柵極區(qū)包括所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)。

5.一種像素電路，包含如權(quán)利要求1至4任一項所述的共柵晶體管，其特征在于，包括：補償單元、驅(qū)動單元、發(fā)光單元、電容及外接電源；

所述補償單元通過第一節(jié)點與所述驅(qū)動單元電連接；所述外接電源、所述驅(qū)動單元及所述發(fā)光單元依次串聯(lián)連接；所述電容位于所述第一節(jié)點和所述外接電源之間；

所述補償單元外接數(shù)據(jù)信號和第一掃描信號，所述補償單元用于在所述第一掃描信號的作用下，將所述第一節(jié)點的電壓置為第一電壓，所述第一電壓為通過所述補償單元中的補償晶體管對所述數(shù)據(jù)信號的電壓進行補償后的電壓；

所述電容，用于保持所述第一節(jié)點的電壓為所述第一電壓；

所述驅(qū)動單元外接第一控制信號，所述驅(qū)動單元用于根據(jù)所述第一控制信號，產(chǎn)生驅(qū)動電流驅(qū)動所述發(fā)光單元發(fā)光；所述驅(qū)動電流根據(jù)所述第一電壓、所述外接電源和所述驅(qū)動單元中驅(qū)動晶體管的閾值電壓得到；所述補償晶體管為所述第一晶體管，所述驅(qū)動晶體管為所述第二晶體管。

6.如權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，所述驅(qū)動單元包括自所述外接電源至所述發(fā)光單元之間通過源漏極依次串聯(lián)的隔離晶體管、驅(qū)動晶體管和發(fā)光控制晶體管；

所述發(fā)光控制晶體管和所述隔離晶體管的柵極共同外接第一控制信號。

7.如權(quán)利要求5所述的像素電路，其特征在于，還包括初始化單元；

所述初始化單元位于所述第一節(jié)點和所述發(fā)光單元之間，所述初始化單元外接第二掃描信號和初始化電壓；

所述初始化單元，用于在所述第二掃描信號的控制下，利用所述初始化電壓初始化所述第一節(jié)點和所述發(fā)光單元。

8.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，應(yīng)用于如權(quán)利要求5至7任一項所述的像素電路。

9.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

與所述驅(qū)動晶體管的第一電極區(qū)為延長關(guān)系的驅(qū)動側(cè)電極延長區(qū)；與所述第三電極區(qū)為延長關(guān)系的第三電極延長區(qū)；

所述驅(qū)動側(cè)電極延長區(qū)與所述第一控制信號線交疊處為所述隔離晶體管的柵極區(qū)，所述驅(qū)動側(cè)電極延長區(qū)遠離所述共柵極區(qū)的一側(cè)與所述外接電源信號線連接；

所述第三電極延長區(qū)與所述第一控制信號線交疊處為所述發(fā)光控制晶體管的柵極區(qū)，所述第三電極延長區(qū)遠離所述共柵極區(qū)的一側(cè)與所述發(fā)光單元連接。

10.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述共柵極區(qū)上方設(shè)置有金屬板；所述金屬板為所述電容的電容極板之一；

所述像素結(jié)構(gòu)還包括：

與所述補償晶體管的第一電極區(qū)為延長關(guān)系的補償側(cè)電極延長區(qū)，以及，與所述第二電極區(qū)域為延長關(guān)系的第二電極延長區(qū)；

所述補償側(cè)電極延長區(qū)與所述第一掃描信號線的交疊區(qū)域構(gòu)成所述數(shù)據(jù)選通晶體管的柵極區(qū)；所述補償側(cè)電極延長區(qū)遠離所述共柵極區(qū)的一側(cè)外接所述數(shù)據(jù)信號線；

所述第二電極延長區(qū)與所述第一掃描信號線的交疊區(qū)域構(gòu)成所述開關(guān)晶體管的柵極區(qū)；位于所述第一掃描信號線的所述第二電極延長區(qū)遠離所述共柵極區(qū)一側(cè)與所述金屬板電連接。