[發(fā)明專利]一種共柵晶體管、像素電路、像素結構及顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810012354.6 | 申請日: | 2018-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN108461493A | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周興雨 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/088 | 分類號: | H01L27/088;G09G3/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 201506 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第一電極 共柵極 共柵晶體管 晶體管 第二電極 第三電極 晶體管共用 顯示面板 像素電路 像素結構 柵極區(qū) 獨立設置 漏極區(qū) 源極區(qū) 共柵 | ||
本發(fā)明公開了一種共柵晶體管、像素電路、像素結構及顯示面板,其中,共柵晶體管包括:獨立設置的第一電極區(qū)、第二電極區(qū)和第三電極區(qū),以及與第一電極區(qū)、第二電極區(qū)和第三電極區(qū)相接觸的共柵極區(qū);共柵極區(qū)、第一電極區(qū)和第二電極區(qū)構成第一晶體管;共柵極區(qū)、第一電極區(qū)和第三電極區(qū)構成第二晶體管。采用上述方案,作為共柵晶體管的第一晶體管和第二晶體管共用共柵極區(qū),從而能夠節(jié)省一個柵極區(qū)的空間。而且,由于第一晶體管和第二晶體管共用共柵極區(qū)作為柵極區(qū),以及共用第一電極區(qū)作為源極區(qū)或漏極區(qū),能夠達到更加理想的共柵效果。
技術領域
本發(fā)明涉及電子顯示器技術領域,尤其涉及一種共柵晶體管、像素電路、像素結構及顯示面板。
背景技術
在電路設計中,共柵晶體管是一種常見的晶體管結構,例如常見的鏡像晶體管便是一種特殊的共柵晶體管,在恒流源電路、差分電路等電路中都有至少一組鏡像晶體管的結構。反應在電路制作上,就是兩個獨立的晶體管,二者柵極相互電連接。
然而,共柵晶體管為一組晶體管,其在電路制作上占用了兩個晶體管的位置,從而增大了所屬電路在電路板上的面積,不利于提高電路板的集成度。
綜上所述,現(xiàn)有的共柵晶體管存在著占用面積過大的問題。
發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種共柵晶體管、像素電路、像素結構及顯示面板,用以減少共柵晶體管在像素結構中的占用面積。
本發(fā)明實施例提供一種共柵晶體管,包括:
獨立設置的第一電極區(qū)、第二電極區(qū)和第三電極區(qū),以及與所述第一電極區(qū)、第二電極區(qū)和第三電極區(qū)相接觸的共柵極區(qū);
所述共柵極區(qū)、所述第一電極區(qū)和所述第二電極區(qū)構成所述第一晶體管;
所述共柵極區(qū)、所述第一電極區(qū)和所述第三電極區(qū)構成所述第二晶體管。
可選的,所述第二電極區(qū)和所述第三電極區(qū)的電學性質相同。
可選的,所述第二電極區(qū)和所述第三電極區(qū)在所述共柵極區(qū)的兩側對稱設置。
可選的,所述共柵極區(qū)包括第一柵極區(qū)和第二柵極區(qū);
所述第一晶體管的柵極區(qū)包括所述第一柵極區(qū);
所述第二晶體管的柵極區(qū)包括所述第一柵極區(qū)和所述第二柵極區(qū)。
本發(fā)明實施例提供一種像素電路,包含如上述任一項所述的共柵晶體管,包括:補償單元、驅動單元、發(fā)光單元、電容及外接電源;
所述補償單元通過第一節(jié)點與所述驅動單元電連接;所述外接電源、所述驅動單元及所述發(fā)光單元依次串聯(lián)連接;所述電容位于所述第一節(jié)點和所述外接電源之間;
所述補償單元外接數(shù)據信號和第一掃描信號,所述補償單元用于在所述第一掃描信號的作用下,將所述第一節(jié)點的電壓置為第一電壓,所述第一電壓為通過所述補償單元中的補償晶體管對所述數(shù)據信號的電壓進行補償后的電壓;
所述電容,用于保持所述第一節(jié)點的電壓為所述第一電壓;
所述驅動單元外接第一控制信號,所述驅動單元用于根據所述第一控制信號,產生驅動電流驅動所述發(fā)光單元發(fā)光;所述驅動電流根據所述第一電壓、所述外接電源和所述驅動單元中驅動晶體管的閾值電壓得到;所述補償晶體管為所述第一晶體管,所述驅動晶體管為所述第二晶體管。
可選的,所述驅動單元包括自所述外接電源至所述發(fā)光單元之間通過源漏極依次串聯(lián)的隔離晶體管、驅動晶體管和發(fā)光控制晶體管;
所述發(fā)光控制晶體管和所述隔離晶體管的柵極共同外接第一控制信號。
可選的,還包括初始化單元;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





