[發明專利]摻雜方法在審

申請號：	201810011756.4	申請日：	2018-01-05
公開（公告）號：	CN110010451A	公開（公告）日：	2019-07-12
發明（設計）人：	何川;陳炯	申請（專利權）人：	上海凱世通半導體股份有限公司
主分類號：	H01L21/265	分類號：	H01L21/265;H01L21/266;H01L31/18
代理公司：	上海弼興律師事務所 31283	代理人：	薛琦
地址：	201203 上海市浦東新區***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	開放區域預摻雜層掩膜摻雜區第一導電類型摻雜導電類型多晶硅襯底遮擋隔離合理設置不重疊摻雜的非晶硅束流離子電池阻擋引入
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【說明書】：

本發明公開了一種摻雜方法，包括：在第一導電類型襯底上形成預摻雜層；在該預摻雜層上設置第一掩膜，該預摻雜層上未被該第一掩膜遮擋的部分為第一開放區域；在該第一開放區域形成第二導電類型摻雜區；在該預摻雜層上設置第二掩膜，該預摻雜層上未被該第二掩膜遮擋的部分為第二開放區域，該第二開放區域和該第一開放區域完全不重疊；在該第二開放區域形成第一導電類型摻雜區，第一導電類型摻雜區和第二導電類型摻雜區被未經摻雜的預摻雜層隔離開。在對IBC電池進行摻雜時，引入了非晶硅或多晶硅，通過將尺寸合適的掩膜置于束流和襯底之間來阻擋部分區域的離子注入。通過掩膜的合理設置，最終以多晶硅來實現P區和N區之間的隔離。

技術領域

本發明涉及一種摻雜方法，特別是涉及一種背接觸電池的摻雜方法。

背景技術

IBC(interdigitated back contact)太陽能電池是最早研究的背結電池，最初主要用于聚光系統中，SUNPOWER公司制作的IBC太陽能電池的最高轉換效率可達24％，然后由于其采用了光刻工藝，由于光刻所帶來的復雜操作使得其成本難以下降，給民用或者普通場合的商業化應用造成困難。為了降低成本，也有利用掩模板來形成交叉排列的P區和N區，但是在制作過程中必須用到多張掩模板，不僅增加了制作成本，由于光刻技術需要精確校準因此還產生了采用不同掩模板需要校準的問題，為制作過程帶來了不少難度。再者，如果采用光刻膠作為掩膜，那么形成掩膜和去除的掩膜的步驟也比較繁多。另外，在現有的產線中，通過兩次熱擴散來形成P區和N區，因為熱擴散沒有方向性的工藝特點，P區和N區會有所接觸，這對IBC電池的性能會造成一定影響。

發明內容

本發明要解決的技術問題是為了克服現有技術形成IBC電池背面的摻雜時采用熱擴散工藝需要用到傳統掩膜、工藝復雜、P區和N區難以隔離的缺陷，提供一種掩膜工藝簡單且P區和N區能完全隔離的摻雜方法。

本發明是通過下述技術方案來解決上述技術問題的：

一種摻雜方法，其特點在于，包括以下步驟：

T1：在一第一導電類型襯底上形成一預摻雜層；

T2：在該預摻雜層上設置一第一掩膜，該預摻雜層上未被該第一掩膜遮擋的部分為第一開放區域；

T3：對該第一開放區域進行第二導電類型離子注入，以在該第一開放區域形成第二導電類型摻雜區，之后使該第一導電類型襯底離開該第一掩膜的作用區域；

T4：在該預摻雜層上設置一第二掩膜，該預摻雜層上未被該第二掩膜遮擋的部分為第二開放區域，其中該第二開放區域和該第一開放區域完全不重疊；

T5：對該第二開放區域進行第一導電類型離子注入，以在該第二開放區域形成第一導電類型摻雜區，之后使該第一導電類型襯底離開該第二掩膜的作用區域，

其中該第一導電類型摻雜區和該第二導電類型摻雜區被未經摻雜的預摻雜層隔離開。

優選地，該預摻雜層為厚度為5nm-500nm的非晶硅或多晶硅。

優選地，未經摻雜的預摻雜層的寬度為0.1μm-500μm，該第一導電類型摻雜區的寬度為10μm-3000μm，該第二導電類型摻雜區的寬度為10μm-3000μm。