[發明專利]摻雜方法

在審

• 申請號: 201810011756.4
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN110010451A
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 何川;陳炯
• 申請（專利權）人: 上海凱世通半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/266;H01L31/18
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 薛琦

1.一種摻雜方法，其特征在于，包括以下步驟：

T1：在一第一導電類型襯底上形成一預摻雜層；

T2：在該預摻雜層上設置一第一掩膜，該預摻雜層上未被該第一掩膜遮擋的部分為第一開放區域；

T3：對該第一開放區域進行第二導電類型離子注入，以在該第一開放區域形成第二導電類型摻雜區，之后使該第一導電類型襯底離開該第一掩膜的作用區域；

T4：在該預摻雜層上設置一第二掩膜，該預摻雜層上未被該第二掩膜遮擋的部分為第二開放區域，其中該第二開放區域和該第一開放區域完全不重疊；

T5：對該第二開放區域進行第一導電類型離子注入，以在該第二開放區域形成第一導電類型摻雜區，之后使該第一導電類型襯底離開該第二掩膜的作用區域，

其中該第一導電類型摻雜區和該第二導電類型摻雜區被未經摻雜的預摻雜層隔離開。

2.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，該預摻雜層為厚度為5nm-500nm的非晶硅或多晶硅。

3.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，未經摻雜的預摻雜層的寬度為0.1μm-500μm，該第一導電類型摻雜區的寬度為10μm-3000μm，該第二導電類型摻雜區的寬度為10μm-3000μm。

4.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，該第二導電類型摻雜區采用硼注入，注入劑量為5e14-5e15/cm2，注入能量為0.5-10keV。

5.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，該第一導電類型摻雜區采用磷注入，注入劑量為1e15-1e16/cm2，注入能量為0.5-10keV。

6.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，該第一掩膜為具有若干第一狹縫的石墨、陶瓷、氧化硅、氧化鋁、碳化硅或硅片，

該第二掩膜為具有若干第二狹縫的石墨、陶瓷、氧化硅、氧化鋁、碳化硅或硅片，

其中，該第一狹縫和該第二狹縫數量一一對應，狹縫方向一致，在垂直于該第一導電類型襯底的移動方向的方向上，第一狹縫和第二狹縫相互錯開間隔平行排列。

7.如權利要求6所述的摻雜方法，其特征在于，該第一狹縫的寬度為50μm-1000μm，相鄰第一狹縫之間的間距為1mm-5mm，

或者，該第二狹縫的寬度為50μm-1000μm，相鄰第二狹縫之間的間距為1mm-5mm。

8.如權利要求6所述的摻雜方法，其特征在于，該第一掩模到該第一導電類型襯底的距離為1mm-20mm，

或者，該第二掩模到該第一導電類型襯底的距離為1mm-20mm。

9.如權利要求6所述的摻雜方法，其特征在于，該摻雜方法采用雙離子源的注入設備實現，該注入設備包括：提供第一導電類型摻雜元素的第一離子源和提供第二導電類型摻雜元素的第二離子源，

該第一掩膜和該第二掩膜位于該注入設備中，該第一掩膜和該第二掩膜之間的對準誤差為1μm-150μm，該校準誤差為第一狹縫與相應的第二狹縫之間的最短距離。

10.如權利要求6所述的摻雜方法，其特征在于，該第一掩膜和該第二掩膜為同一掩膜板的不同區域，其中第一狹縫與相應的第二狹縫最短垂直距離小于等于150μm。

11.如權利要求1所述的摻雜方法，其特征在于，步驟T3中，對該第一開放區域進行第一導電類型離子注入，以在該第一開放區域形成第一導電類型摻雜區，

并且，步驟T5中，對該第二開放區域進行第二導電類型離子注入，以在該第二開放區域形成第二導電類型摻雜區。