[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201810011510.7
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN109411535B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 廖文甲;劉瀅溱;江承庭
• 申請（專利權）人: 臺達電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L23/485
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強

一種半導體裝置包含主動層、源極電極、漏極電極、柵極電極、源極墊、漏極墊與至少一源極外部連接元件。源極電極、漏極電極與柵極電極置于主動層的主動區上。源極墊電性連接至源極電極，并包含本體部、多個分支部與至少一電流分散部。本體部至少部分置于主動區并沿著第一方向延伸。分支部沿著第二方向延伸，第二方向不同于第一方向。電流分散部連接本體部與分支部，并沿著第一方向延伸。電流分散部的寬度大于任一分支部的寬度且小于本體部的一半寬度。漏極墊電性連接至漏極電極。源極外部連接元件置于本體部上且與電流分散部分開。

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置。

背景技術

氮基半導體具有高電子崩潰電場與高電子飽和速度，因此，氮基半導體被期望作為具有高崩潰電壓與低開啟電阻的半導體裝置的半導體材料。許多使用氮基相關材料的半導體裝置具有異質結構(heterojunctions)。異質結構是利用兩種具有不同帶隙能量的氮基半導體組成，且可于接合平面附近形成二維電子氣(two-dimensional electron gas,2DEG)層。具有異質結構的半導體裝置可達成低開啟電阻。此類的半導體裝置稱為高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistors,HEMT)。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種半導體裝置，以解決上述問題。

本公開實施例提供一種半導體裝置，其包含主動層、源極電極、漏極電極、柵極電極、源極墊、漏極墊與至少一源極外部連接元件。主動層具有主動區。源極電極、漏極電極與柵極電極置于主動層的主動區上。源極墊電性連接至源極電極。源極墊包含本體部、多個分支部與至少一電流分散部。本體部至少部分置于主動層的主動區。源極墊的本體部沿著第一方向延伸。分支部沿著第二方向延伸。第二方向不同于第一方向。電流分散部連接源極墊的本體部與源極墊的分支部，并沿著第一方向延伸。源極墊的電流分散部的寬度大于源極墊的任一分支部的寬度且小于源極墊的本體部的一半寬度。漏極墊電性連接至漏極電極。源極外部連接元件置于源極墊的本體部上且與源極墊的電流分散部分開。

在一或多個實施方式中，源極墊的電流分散部分開源極墊的本體部與源極墊的分支部。

在一或多個實施方式中，源極墊的本體部與源極墊的分支部置于源極墊的電流分散部的相對兩側。

在一或多個實施方式中，源極外部連接元件毗鄰源極墊的電流分散部的邊緣對齊源極墊的本體部與源極墊的電流分散部之間的界面。

在一或多個實施方式中，源極墊的電流分散部與源極墊的本體部具有實質相同的長度。

在一或多個實施方式中，源極墊滿足：1≤L2/((W1+W3)/2)≤3，其中W1為源極墊的電流分散部的寬度，W3為源極墊的本體部的寬度，且L2為源極墊的分支部的長度。

在一或多個實施方式中，源極墊的本體部重疊至少部分的源極電極。

在一或多個實施方式中，半導體裝置還包含至少一下源極金屬層，置于源極電極與源極墊之間。

在一或多個實施方式中，下源極金屬層的數量為多個，且下源極金屬層互相分開。

在一或多個實施方式中，半導體裝置還包含至少一上源極金屬層，置于下源極金屬層與源極墊之間。

在一或多個實施方式中，上源極金屬層的數量為多個，且上源極金屬層互相分開。

在一或多個實施方式中，下源極金屬層的厚度小于上源極金屬層與源極墊的總厚度。

在一或多個實施方式中，上源極金屬層的寬度大于源極墊的至少任一分支部的寬度。