[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201810011510.7
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN109411535B
• 公開（公告）日: 2022-03-18
• 發明（設計）人: 廖文甲;劉瀅溱;江承庭
• 申請（專利權）人: 臺達電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L23/485
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強

1.一種半導體裝置，包含：

一主動層，具有一主動區；

一源極電極、一漏極電極與一柵極電極，置于該主動層的該主動區上；

一源極墊，電性連接至該源極電極，其中該源極墊包含：

一本體部，至少部分置于該主動層的該主動區，其中該源極墊的該本體部沿著一第一方向延伸；

多個分支部，沿著一第二方向延伸，其中該第二方向不同于該第一方向；以及

至少一電流分散部，連接該源極墊的該本體部與該源極墊的多個所述分支部，并沿著該第一方向延伸，其中該源極墊的該電流分散部的寬度大于該源極墊的任一多個所述分支部的寬度且小于該源極墊的該本體部的一半寬度；

一漏極墊，電性連接至該漏極電極；以及

至少一源極外部連接元件，置于該源極墊的該本體部上且與該源極墊的該電流分散部分開；

其中該源極墊滿足：1≤L2/((W1+W3)/2)≤3，其中W1為該源極墊的該電流分散部的寬度，W3為該源極墊的該本體部的寬度，且L2為該源極墊的多個所述分支部的長度；該源極墊的該電流分散部與該漏極墊的該電流分散部之間定義一容置空間，且該源極墊的多個所述分支部與該漏極墊的多個所述分支部于該容置空間的密度為50％至90％。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該源極墊的該電流分散部分開該源極墊的該本體部與該源極墊的多個所述分支部。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該源極墊的該本體部與該源極墊的多個所述分支部置于該源極墊的該電流分散部的相對兩側。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該源極外部連接元件毗鄰該源極墊的該電流分散部的一邊緣對齊該源極墊的該本體部與該源極墊的該電流分散部之間的界面。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該源極墊的該電流分散部與該源極墊的該本體部具有實質相同的長度。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該源極墊的該本體部重疊至少部分的該源極電極。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，還包含至少一下源極金屬層，置于該源極電極與該源極墊之間。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中該下源極金屬層的數量為多個，且多個所述下源極金屬層互相分開。

9.如權利要求7所述的半導體裝置，還包含至少一上源極金屬層，置于該下源極金屬層與該源極墊之間。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中該上源極金屬層的數量為多個，且多個所述上源極金屬層互相分開。

11.如權利要求9所述的半導體裝置，其中該下源極金屬層的厚度小于該上源極金屬層與該源極墊的總厚度。

12.如權利要求9所述的半導體裝置，其中該上源極金屬層的寬度大于該源極墊的至少任一多個所述分支部的寬度。

13.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該漏極墊包含：

一本體部，至少部分置于該主動層的該主動區，其中該漏極墊的該本體部沿著該第一方向延伸；

多個分支部，沿著該第二方向延伸，且該源極墊的多個所述分支部與該漏極墊的多個所述分支部交替排列；以及

一電流分散部，連接該漏極墊的該本體部與該漏極墊的多個所述分支部，并沿著該第一方向延伸。

14.如權利要求13所述的半導體裝置，其中該漏極墊的該電流分散部的寬度大于該漏極墊的任一多個所述分支部的寬度且小于該漏極墊的該本體部的一半寬度。

15.如權利要求13所述的半導體裝置，還包含至少一下漏極金屬層，置于該漏極電極與該漏極墊之間。