[發明專利]一種靶材組件、濺射系統及靶材層消耗狀況的監控方法有效
| 申請號: | 201810011237.8 | 申請日: | 2018-01-05 |
| 公開(公告)號: | CN108149207B | 公開(公告)日: | 2020-04-14 |
| 發明(設計)人: | 林琳琳 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 組件 濺射 系統 靶材層 消耗 狀況 監控 方法 | ||
本發明提供一種靶材組件、濺射系統及靶材層消耗狀況的監控方法,涉及顯示技術領域,可及時掌握靶材層的消耗程度,防止出現靶材層使用過量或使用不夠充分的情況。該靶材組件包括:基板、設置在所述基板表面的靶材層;所述靶材組件還包括:內嵌在所述靶材層中或者設置在所述基板與所述靶材層之間的吸附層,所述吸附層配置為吸附預設氣體。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種靶材組件、濺射系統及靶材層消耗狀況的監控方法。
背景技術
濺射(Sputter)工藝是利用高能離子束將靶材原子轟擊出來,并沉積在基板上的成膜過程。隨著靶材使用量的增加,靶材會逐漸地被損耗掉。若消耗掉的靶材將下方固定靶材的背板露出后,會導致背板上的原子被濺射出來、進而沉積在待成膜的基板上,對基板上沉積的膜層造成影響。更甚者,若背板也被濺射穿透后,由于濺射腔室內仍然在進行放電濺射,會導致設備被高能離子束擊穿,對設備造成嚴重影響。
因此,靶材的使用壽命對設備預防維護(Preventive Maintenance,即PM)計劃至關重要,需要及時地更換靶材。
然而,現有生產過程中所設定的靶材壽命僅是通過生產經驗獲得的,并且由于不同設備之間的差異性,導致所設定的靶材需要更換的使用時間僅能作為參考,存在較大誤差,在實際生產過程中往往會出現靶材使用過量或使用不夠充分的情況。
發明內容
鑒于此,為解決現有技術的問題,本發明的實施例提供一種靶材組件、濺射系統及靶材層消耗狀況的監控方法,可及時掌握靶材層的消耗程度,防止出現靶材層使用過量或使用不夠充分的情況。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
第一方面、本發明實施例提供了一種靶材組件,包括:基板、設置在所述基板表面的靶材層;所述靶材組件還包括:內嵌在所述靶材層中或者設置在所述基板與所述靶材層之間的吸附層,所述吸附層配置為吸附預設氣體。
可選的,所述靶材層包括遠離所述基板的第一表面;所述第一表面劃分有預設區域,所述靶材層對應于所述預設區域的部分為易于被濺射穿的部分;所述預設區域在所述基板上的正投影與所述吸附層在所述基板上的正投影完全重疊。
可選的,所述吸附層由吸附介質構成,所述吸附介質的粒徑小于3nm。
可選的,所述吸附層由吸附介質構成,所述吸附介質包括多孔配位聚合物、碳納米管、沸石分子篩中的至少一種。
可選的,所述預設氣體為氫氣。
可選的,所述基板包括:背板和綁定層;所述綁定層位于所述背板與所述靶材層之間。
第二方面、本發明實施例提供了一種濺射系統,所述濺射系統包括濺射裝置;所述濺射裝置包括:腔室;設置在所述腔室內上述任一項所述的靶材組件;氣體流量監測單元,所述氣體流量監測單元配置為監測通入到所述腔室內的所述預設氣體的流量變化。
作為一種可選的方式,所述濺射系統還包括:報警單元,所述報警單元配置為在所述氣體流量監測單元監測到的所述預設氣體的流量變化超過參考值時發出報警。
作為另一種可選的方式,所述濺射系統還包括:控制單元,所述控制單元配置為在所述氣體流量監測單元監測到的所述預設氣體的流量變化超過參考值時控制所述濺射裝置終止濺射。
第三方面、本發明實施例提供了一種濺射系統中靶材層消耗狀況的監控方法,所述濺射系統上述任一項所述的濺射系統,所述監控方法包括:接通電源,并向所述腔室內通入所述預設氣體,使所述濺射裝置開始濺射;開啟所述氣體流量監測單元,以監測通入到所述腔室內的所述預設氣體的流量變化;當所述流量變化超過參考值時,使所述濺射裝置終止濺射。
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