[發明專利]一種靶材組件、濺射系統及靶材層消耗狀況的監控方法

有效

• 申請號: 201810011237.8
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN108149207B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 林琳琳
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;福州京東方光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種靶材組件，包括：基板、設置在所述基板表面的靶材層；其特征在于，所述靶材組件還包括：

內嵌在所述靶材層中或者設置在所述基板與所述靶材層之間的吸附層，所述吸附層配置為吸附預設氣體。

2.根據權利要求1所述的靶材組件，其特征在于，所述靶材層包括遠離所述基板的第一表面；所述第一表面劃分有預設區域，所述靶材層對應于所述預設區域的部分為易于被濺射穿的部分；

所述預設區域在所述基板上的正投影與所述吸附層在所述基板上的正投影完全重疊。

3.根據權利要求1所述的靶材組件，其特征在于，所述吸附層由吸附介質構成，所述吸附介質的粒徑小于3nm。

4.根據權利要求1所述的靶材組件，其特征在于，所述吸附層由吸附介質構成，所述吸附介質包括多孔配位聚合物、碳納米管、沸石分子篩中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的靶材組件，其特征在于，所述預設氣體為氫氣。

6.根據權利要求1所述的靶材組件，其特征在于，所述基板包括：背板和綁定層；所述綁定層位于所述背板與所述靶材層之間。

7.一種濺射系統，其特征在于，所述濺射系統包括濺射裝置；所述濺射裝置包括：

腔室；

設置在所述腔室內的如權利要求1至6任一項所述的靶材組件；

氣體流量監測單元，所述氣體流量監測單元配置為監測通入到所述腔室內的所述預設氣體的流量變化。

8.根據權利要求7所述的濺射系統，其特征在于，所述濺射系統還包括：

報警單元，所述報警單元配置為在所述氣體流量監測單元監測到的所述預設氣體的流量變化超過參考值時發出報警。

9.根據權利要求7所述的濺射系統，其特征在于，所述濺射系統還包括：

控制單元，所述控制單元配置為在所述氣體流量監測單元監測到的所述預設氣體的流量變化超過參考值時控制所述濺射裝置終止濺射。

10.一種濺射系統中靶材層消耗狀況的監控方法，其特征在于，所述濺射系統為權利要求7至9任一項所述的濺射系統，所述監控方法包括：

接通電源，并向所述腔室內通入所述預設氣體，使所述濺射裝置開始濺射；

開啟所述氣體流量監測單元，以監測通入到所述腔室內的所述預設氣體的流量變化；

當所述流量變化超過參考值時，使所述濺射裝置終止濺射。