[發(fā)明專利]靶材軋制方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810011222.1
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN110000211A
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚力軍;潘杰;王學(xué)澤;陳金庫
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: B21B3/00
• 分類號: B21B3/00;B21B45/00;B21B1/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 高磊;吳敏

一種靶材軋制方法，包括：提供靶材坯料；將所述靶材坯料加熱至第一溫度；在將所述靶材坯料加熱至第一溫度后，對所述靶材坯料進(jìn)行壓延處理；在所述壓延處理過程中，當(dāng)所述靶材坯料溫度降低至第二溫度時，對靶材坯料進(jìn)行加熱處理，將所述靶材坯料加熱至第一溫度后進(jìn)行所述壓延處理；交替進(jìn)行所述加熱處理及所述壓延處理，直至將所述靶材坯料制成靶材。本發(fā)明能夠防止所述靶材坯料在進(jìn)行所述壓延處理過程中出現(xiàn)裂紋，從而可提高所述靶材的軋制質(zhì)量，改善所述靶材的濺射性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種靶材軋制方法。

背景技術(shù)

濺射鍍膜屬于物理氣相沉積方法制備薄膜的工藝之一，具體是指利用高能粒子轟擊靶材表面，使得靶材原子或分子獲得足夠的能量逸出，并沉積在基材或工件表面，從而形成薄膜。

根據(jù)應(yīng)用的不同可將靶材分為半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材、記錄介質(zhì)用靶材、顯示薄膜用靶材、光學(xué)靶材、超導(dǎo)靶材等。其中半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材、記錄介質(zhì)用靶材和顯示靶材是市場規(guī)模最大的三類靶材。

靶材以高純度金屬為原料，經(jīng)鍛造、軋制、熱處理以及機(jī)加工等工藝，使所述高純度金屬內(nèi)部晶粒尺寸減小、致密度增加，從而形成濺射性能符合要求的靶材。靶材的濺射性能制約著鍍膜的力學(xué)性能，影響鍍膜質(zhì)量。

然而，現(xiàn)有靶材的濺射性能有待提高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種靶材軋制方法，能夠防止所述靶材坯料在進(jìn)行所述壓延處理過程中出現(xiàn)裂紋，從而可提高所述靶材的軋制質(zhì)量，改善所述靶材的濺射性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種靶材軋制方法，包括：提供靶材坯料；將所述靶材坯料加熱至第一溫度；在將所述靶材坯料加熱至第一溫度后，對所述靶材坯料進(jìn)行壓延處理；在所述壓延處理過程中，當(dāng)所述靶材坯料溫度降低至第二溫度時，對靶材坯料進(jìn)行加熱處理，將所述靶材坯料加熱至第一溫度后進(jìn)行所述壓延處理；交替進(jìn)行所述加熱處理及所述壓延處理，直至將所述靶材坯料制成靶材。

可選的，所述第一溫度為850℃～950℃。

可選的，所述第二溫度為700℃～800℃。

可選的，所述加熱處理的次數(shù)大于或等于2，且小于或等于8。

可選的，單次所述壓延處理包括對所述靶材坯料進(jìn)行至少兩個道次的軋制。

可選的，在對所述靶材坯料進(jìn)行單一道次軋制后，所述靶材坯料的厚度變形率為4％～6％。

可選的，提供的所述靶材坯料的形狀為長方體，長度為100mm～400mm，寬度為50mm～300mm，高度為20mm～40mm。

可選的，對所述靶材坯料進(jìn)行加熱處理的方法包括：提供恒溫爐，將所述靶材坯料放置于所述恒溫爐中加熱；在對所述靶材坯料進(jìn)行加熱過程中，向所述恒溫爐內(nèi)通入保護(hù)氣體。

可選的，所述保護(hù)氣體包括氬氣，所述氬氣的質(zhì)量百分比大于或等于99.9993％。

可選的，單次所述加熱處理的時間為15min～180min。

可選的，所述靶材坯料的材料為金屬釔，所述金屬釔的純度大于或等于99.9％。

可選的，所述靶材坯料的材料為鋁鈧合金，所述鋁鈧合金中，鈧元素的質(zhì)量百分比為5％～15％。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：