[發明專利]光學鄰近修正方法及掩膜版的制作方法

有效

• 申請號: 201810010888.5
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN110007554B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 覃柳莎
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

一種光學鄰近修正方法及掩膜版的制作方法，修正方法：對第一類型分割邊和第二類型分割邊進行第一OPC修正，得到第一類型初始修正邊和第二類型修正邊；根據初始邊緣放置誤差對第一類型初始修正邊進行第二OPC修正，得到第一類型修正邊；之后獲取第一類型修正邊的第一邊緣放置誤差和第二類型修正邊的第二邊緣放置誤差；若第一邊緣放置誤差大于第一閾值或第二邊緣放置誤差大于第二閾值，將第一類型修正邊和第二類型修正邊構成的圖形作為目標圖形并重復將子目標圖形的各邊分割為若干分割邊至獲取第一邊緣放置誤差和第二邊緣放置誤差的過程直至第一邊緣放置誤差和第二邊緣放置誤差均小于第二閾值，第一閾值小于第二閾值。提高了修正效率。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種光學鄰近修正方法及掩膜版的制作方法。

背景技術

光刻技術是半導體制作技術中至關重要的一項技術，光刻技術能夠實現將圖形從掩膜版中轉移到硅片表面，形成符合設計要求的半導體產品。光刻工藝包括曝光步驟、曝光步驟之后進行的顯影步驟和顯影步驟之后的刻蝕步驟。在曝光步驟中，光線通過掩膜版中透光的區域照射至涂覆有光刻膠的硅片上，光刻膠在光線的照射下發生化學反應；在顯影步驟中，利用感光和未感光的光刻膠對顯影劑的溶解程度的不同，形成光刻圖案，實現掩膜版圖案轉移到光刻膠上；在刻蝕步驟中，基于光刻膠層所形成的光刻圖案對硅片進行刻蝕，將掩膜版的圖案進一步轉移至硅片上。

在半導體制造中，隨著設計尺寸的不斷縮小，設計尺寸越來越接近光刻成像系統的極限，光的衍射效應變得越來越明顯，導致最終對設計圖形產生光學影像退化，實際形成的光刻圖案相對于掩膜版上的圖案發生嚴重畸變，最終在硅片上經過光刻形成的實際圖形和設計圖形不同，這種現象稱為光學鄰近效應(OPE：Optical Proximity Effect)。

為了修正光學鄰近效應，便產生了光學鄰近校正(OPC：Optical ProximityCorrection)。光學鄰近校正的核心思想就是基于抵消光學鄰近效應的考慮建立光學鄰近校正模型，根據光學鄰近校正模型設計光掩模圖形，這樣雖然光刻后的光刻圖形相對應光掩模圖形發生了光學鄰近效應，但是由于在根據光學鄰近校正模型設計光掩模圖形時已經考慮了對該現象的抵消，因此，光刻后的光刻圖形接近于用戶實際希望得到的目標圖形。

然而，現有技術中光學鄰近校正的效率較低。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種光學鄰近修正方法及掩膜版的制作方法，以提高修正效率。

為解決上述問題，本發明提供一種光學鄰近修正方法，包括：提供目標圖形，所述目標圖形包括多個子目標圖形；將子目標圖形的各邊分割為若干分割邊；獲取若干分割邊中的第一類型分割邊，第一類型分割邊之外的分割邊為第二類型分割邊；對第一類型分割邊和第二類型分割邊進行第一OPC修正，得到第一類型初始修正邊和第二類型修正邊；獲取第一類型初始修正邊的初始邊緣放置誤差；根據初始邊緣放置誤差對第一類型初始修正邊進行第二OPC修正，得到第一類型修正邊；進行第二OPC修正后，獲取第一類型修正邊的第一邊緣放置誤差和第二類型修正邊的第二邊緣放置誤差；若第一邊緣放置誤差大于第一閾值，或第二邊緣放置誤差大于第二閾值，則將第一類型修正邊和第二類型修正邊構成的圖形作為目標圖形，并重復將子目標圖形的各邊分割為若干分割邊至獲取第一邊緣放置誤差和第二邊緣放置誤差的過程，直至第一邊緣放置誤差小于第一閾值，且第二邊緣放置誤差小于第二閾值，第一閾值小于第二閾值。

可選的，獲取所述初始邊緣放置誤差的方法包括：對第一類型初始修正邊和第二類型修正邊構成的圖形進行模擬曝光，獲得第一模擬曝光圖形，所述第一模擬曝光圖形包括對應第一類型初始修正邊的第一曝光邊；根據第一曝光邊相對于第一類型分割邊的位置偏移程度得到初始邊緣放置誤差。