[發明專利]光學鄰近修正方法及掩膜版的制作方法

有效

• 申請號: 201810010888.5
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN110007554B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 覃柳莎
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種光學鄰近修正方法，其特征在于，包括：

提供目標圖形，所述目標圖形包括多個子目標圖形；

將子目標圖形的各邊分割為若干分割邊；

獲取若干分割邊中的第一類型分割邊，第一類型分割邊之外的分割邊為第二類型分割邊；

對第一類型分割邊和第二類型分割邊進行第一OPC修正，得到第一類型初始修正邊和第二類型修正邊；

獲取第一類型初始修正邊的初始邊緣放置誤差；

根據初始邊緣放置誤差對第一類型初始修正邊進行第二OPC修正，得到第一類型修正邊；

進行第二OPC修正后，獲取第一類型修正邊的第一邊緣放置誤差和第二類型修正邊的第二邊緣放置誤差；

若第一邊緣放置誤差大于第一閾值，或第二邊緣放置誤差大于第二閾值，則將第一類型修正邊和第二類型修正邊構成的圖形作為目標圖形，并重復將子目標圖形的各邊分割為若干分割邊至獲取第一邊緣放置誤差和第二邊緣放置誤差的過程，直至第一邊緣放置誤差小于第一閾值，且第二邊緣放置誤差小于第二閾值，第一閾值小于第二閾值；

所述第一閾值為第二閾值的50％～70％。

2.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，獲取所述初始邊緣放置誤差的方法包括：對第一類型初始修正邊和第二類型修正邊構成的圖形進行模擬曝光，獲得第一模擬曝光圖形，所述第一模擬曝光圖形包括對應第一類型初始修正邊的第一曝光邊；根據第一曝光邊相對于第一類型分割邊的位置偏移程度得到初始邊緣放置誤差。

3.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，獲取第一類型修正邊的第一邊緣放置誤差和第二類型修正邊的第二邊緣放置誤差的方法包括：對第一類型修正邊和第二類型修正邊構成的圖形進行模擬曝光，獲得第二模擬曝光圖形，所述第二模擬曝光圖形包括對應第一類型修正邊的第三曝光邊和對應第二類型修正邊的第四曝光邊；根據第三曝光邊相對于第一類型分割邊的位置偏移程度得到第一邊緣放置誤差；根據第四曝光邊相對于第二類型分割邊的位置偏移程度得到第二緣放置誤差。

4.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，各分割邊的尺寸為曝光工藝臨界尺寸的100％～300％。

5.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述第一閾值為0.2nm～1nm；所述第二閾值為1nm～2nm。

6.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，還包括：提供第一OPC修正模型；根據第一OPC修正模型，對第一類型分割邊和第二類型分割邊進行第一OPC修正，得到第一類型初始修正邊和第二類型修正邊。

7.根據權利要求6所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述第一OPC修正模型的獲取方法包括：提供第一測試掩膜版，所述第一測試掩膜版中具有若干第一測試圖形；對第一測試圖形進行曝光，得到第一實際曝光圖形；對第一實際曝光圖形的尺寸進行測量，獲得第一測試數據；將第一測試圖形的尺寸數據和第一測試數據進行比較和擬合計算，得到第一OPC修正模型。

8.根據權利要求1所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，還包括：提供第二OPC修正模型；根據第二OPC修正模型，對第一類型初始修正邊進行第二OPC修正，得到第一類型修正邊。

9.根據權利要求8所述的光學鄰近修正方法，其特征在于，所述第二OPC修正模型的獲取方法包括：提供第二測試掩膜版，所述第二測試掩膜版中具有若干第二測試圖形；對第二測試圖形進行曝光，得到第二實際曝光圖形；對第二實際曝光圖形的尺寸進行測量，獲得第二測試數據；將第二測試圖形的尺寸數據和第二測試數據進行比較和擬合計算，得到第二OPC修正模型。

10.一種掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：根據權利要求1至9任意一項光學鄰近修正方法得到的第一類型修正邊和第二類型修正邊的圖形制作掩膜版。