[發明專利]一種晶界擴散滲Dy制備高性能釹鐵硼磁體的方法

在審

• 申請號: 201810010519.6
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN108269685A
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 賀琦軍;林建強
• 申請（專利權）人: 寧波招寶磁業有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/057;C25D13/02
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• 代理人: 暫無信息

1.一種晶界擴散滲Dy制備高性能釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)燒坯合金在真空或氬氣氣氛中熔化成熔體，將熔體在1300～1600℃澆注到急冷輥上形成鱗片，急冷輥轉速為20～60r/min；

2)步驟1)形成的鱗片經過HD制粉，氣流磨，制成粒度為2～10μm的粉末；

3)步驟2)制得的粉末在15KOe的磁場中取向成型，制成生坯，將生坯放入Ar氣氛下的燒結爐中，在900～1300℃下燒結1～100h；

4)將步驟3)燒結后的生坯在450～650℃溫度下時效2～50h，得到燒坯；

5)將步驟4)所得燒坯經硝酸酸洗、超聲波水洗，檸檬酸活化后，在Dy₂(OH)₅NO₃·H₂O液中電泳4～20min，使電泳層均勻包覆在燒坯表面；

6)將電泳后的燒坯烘干，置入真空熱處理爐內熱處理，即得所需的磁體。

2.根據權利要求1所述的一種晶界擴散滲Dy制備高性能釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，步驟1)中所述澆注溫度為1400～1500℃；所述急冷輥轉速為30～50r/min。

3.根據權利要求1所述的一種晶界擴散滲Dy制備高性能釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，步驟2)中所述粉末粒度為3～5μm。

4.根據權利要求1所述的一種晶界擴散滲Dy制備高性能釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，步驟3)中所述燒結溫度為1000～1100℃，燒結2～50h。

5.根據權利要求1所述的一種晶界擴散滲Dy制備高性能釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，步驟4)中所述時效溫度為450～500℃，時效4～20h，所述燒坯的通式為(Nd_aRE_1-a)_xFe_100-x-y-zM_yB_z，Nd為釹元素，RE為Pr、Tb、Dy、Sc、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Yb、Lu中的一種或幾種；Fe為鐵元素，M為Nb、V、Ti、Co、Cr、Mo、Mn、Ni、Ga、Zr、Ta、Ag、Au、Al、Pb、Cu、Si元素中的一種或幾種，B為硼元素；a、x、y、z滿足以下關系：0.9≤a≤1、12≤x≤16、0≤y≤1.5、5.5≤z≤6.5。

6.根據權利要求1所述的一種晶界擴散滲Dy制備高性能釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，步驟5)中所述硝酸濃度為3％(質量分數)，酸洗時間為20～40s，超聲波水洗時間為30～50s，所述檸檬酸濃度為5％(質量分數)，活化時間為4～7s。

7.根據權利要求1所述的一種晶界擴散滲Dy制備高性能釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，所述熱處理工藝為600～950℃溫度處理4～10h，真空度控制在(3～5)×10^-3Pa。