[發明專利]有機發光顯示裝置、有機電致發光器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201810010052.5
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN108232032B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 冼偉材;鈴木浩司;張毅先;任思雨;蘇君海;李建華
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 葉劍

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括：

導電反射層，所述導電反射層包括依次層疊的鋁膜層、銀膜層和氧化銦錫膜層；

有機發光層，所述有機發光層形成于所述氧化銦錫膜層上；

陰極層，所述陰極層形成于所述有機發光層上；

所述鋁膜層的厚度大于所述銀膜層的厚度及所述氧化銦錫膜層的厚度；所述鋁膜層的厚度為80～120nm，所述銀膜層的厚度為5～15nm，所述氧化銦錫膜層的厚度為5～15nm。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述銀膜層包括銀合金膜層。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述鋁膜層包括鋁合金膜層。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述鋁膜層的厚度為100nm，所述銀膜層的厚度為10nm，所述氧化銦錫膜層的厚度為10nm。

5.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括：

制備導電反射層，所述導電反射層包括依次層疊的鋁膜層、銀膜層和氧化銦錫膜層，其中，所述鋁膜層的厚度大于所述銀膜層的厚度及所述氧化銦錫膜層的厚度；所述鋁膜層的厚度為80～120nm，所述銀膜層的厚度為5～15nm，所述氧化銦錫膜層的厚度為5～15nm；其中，依次沉積形成層疊的所述鋁膜層、所述銀膜層和所述氧化銦錫膜層；采用干法刻蝕工藝依次對所述氧化銦錫膜層、所述銀膜層和所述鋁膜層進行刻蝕；

在所述氧化銦錫膜層上形成有機發光層；

在所述有機發光層上形成陰極層。

6.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述采用干法刻蝕工藝依次對所述氧化銦錫膜層、所述銀膜層和所述鋁膜層進行刻蝕的步驟包括：

對干刻蝕過程進行監控，其中，對干刻反應產生的等離子體中的反應物或生產物發射的波長進行監控，并根據其發光強度判定物質的多寡，從而判定反應是否完成。

7.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述采用干法刻蝕工藝依次對所述氧化銦錫膜層、所述銀膜層和所述鋁膜層進行刻蝕的步驟包括：

采用甲烷氣體依次對所述氧化銦錫膜層和所述銀膜層進行干刻蝕。

8.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述采用干法刻蝕工藝依次對所述氧化銦錫膜層、所述銀膜層和所述鋁膜層進行刻蝕的步驟包括：

采用含有氯氣的氣體對所述鋁膜層進行刻蝕。

9.根據權利要求8所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述使用含有氯氣的氣體對所述鋁膜層進行刻蝕的步驟之后還包括：

采用四氟化碳氣體對氯氣刻蝕過程中產生的氯化銀進行置換反應。

10.一種有機發光顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1至4任一項中所述的有機電致發光器件。