[發明專利]一種高速SPI接口安全芯片的版圖結構

在審

• 申請號: 201810008248.0
• 申請日: 2018-01-04
• 公開（公告）號: CN108365003A
• 公開（公告）日: 2018-08-03
• 發明（設計）人: 趙奇;胡旭;胡毅;唐曉柯;張海峰;趙東艷
• 申請（專利權）人: 北京智芯微電子科技有限公司;國網信息通信產業集團有限公司;國家電網有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 席勇

1.一種高速SPI接口安全芯片的版圖結構，其特征在于，所述版圖結構包括第1版圖區、第2版圖區、第3版圖區、第4版圖區、第5版圖區、第6版圖區、第7版圖區、第8版圖區和第9版圖區，

其中，所述第1版圖區與所述第2-9版圖區相連；

所述第2版圖區與所述第1、4和5版圖區相連；

所述第3版圖區與所述第1和4版圖區相連；

所述第4版圖區與所述1-3版圖區及所述第5-9版圖區相連；

所述第5版圖區與所述第1、2、4和8版圖區相連，所述第5版圖區分布于所述安全芯片的左右兩側；

所述第6版圖區與所述第1和5版圖區相連；

所述第7版圖區與所述第1和4版圖區相連；

所述第8版圖區與所述第1和4版圖區相連；以及

所述第9版圖區與所述第1和4版圖區相連，并覆蓋所述安全芯片上的除所述第5版圖區之外的所有區域。

2.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述第1版圖區為模擬IP版圖區，所述模擬IP版圖區包括帶隙基準源、電壓參考源、功耗尖峰檢測模塊、電壓檢測模塊、溫度檢測模塊、光檢測模塊、低頻振蕩器和高頻振蕩器模塊。

3.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述第2版圖區為FLASH版圖區，所述FLASH版圖區緊鄰所述第1版圖布置，用于減少所述第1版圖區的基準信號的壓降。

4.根據權利要求1所述的版圖結構，其特征在于，所述第3版圖區為數據存儲交互模塊版圖區，所述數據存儲交互模塊版圖區緊鄰所述第4版圖區布置。

5.根據權利要求1所述的安全芯片的版圖結構，其特征在于，所述第4版圖區為數字邏輯單元版圖區，所述數字邏輯單元版圖區包括SM1、SM2和SM4算法模塊版圖、測試模塊版圖以及安全加密模塊版圖。

6.根據權利要求1所述的安全芯片的版圖結構，其特征在于，所述第5版圖區為輸入輸出接口版圖區，所述輸入輸出接口版圖區包括24個平行式輸入輸出接口版圖，所述24個平行式輸入輸出接口均勻分布于所述安全芯片版圖左右兩側。

7.根據權利要求1所述的安全芯片的版圖結構，其特征在于，所述第6版圖區為穩壓電容版圖區，所述穩壓電容版圖區包括MOS電容版圖和MOM電容版圖，并且所述MOM電容疊加于所述MOS電容上方。

8.根據權利要求1所述的安全芯片的版圖結構，其特征在于，所述第7版圖區為真隨機數模塊和光檢測模塊版圖區，所述真隨機數模塊包括四個真隨機數發生源版圖，所述光檢測模塊版圖區包括四個光檢測模塊版圖，所述四個真隨機數發生源和所述四個光檢測模塊均勻分布于所述安全芯片不同區域，并且所述四個光檢測模塊緊鄰所述第3版圖區布置。

9.根據權利要求1所述的高速SPI接口安全芯片的版圖結構，其特征在于，所述第8版圖區為EFUSE版圖區，所述EFUSE版圖區包括三個NWELLEFUSE版圖區、一個POLY EFUSE版圖區、兩個阻值為100K的POLY電阻版圖區和一個阻值為1兆的POLY電阻版圖區。

10.如權利要求1所述的高速SPI接口安全芯片的版圖結構，其特征在于，所述第9版圖區為芯片主動防護屏蔽層版圖區，所述芯片主動防護屏蔽層版圖區包括芯片主動防護屏蔽層和兩個檢測模塊版圖，所述芯片主動防護屏蔽層版圖由頂層金屬構成，輸入輸出端口位于所述安全芯片的不同區域，所述兩個檢測模塊分別位于所述第6版圖區和所述第1版圖區。