[發(fā)明專利]納米壓印的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810008147.3
• 申請日: 2018-01-04
• 公開（公告）號: CN108319106A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設計）人: 鄧丹丹;崔德虎;馬小浩
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟

本發(fā)明涉及一種納米壓印的方法。一種納米壓印的方法，包括以下步驟：提供襯底，在襯底表面形成聚合物層；將聚合物層加熱至軟化，并對聚合物層遠離襯底的一側進行第一次壓印，以在聚合物層上形成具有多個光柵線的第一納米壓印圖形；及將聚合物層加熱至軟化，再對第一納米壓印圖形進行第二次壓印，以得到更精細的納米壓印圖形。上述納米壓印的方法能夠得到更精細的納米壓印圖形；同時，不需要制作更精細的模板，在現有模板的基礎上就可以制得更精細的納米壓印圖形，不僅能夠降低模板的制作時間和成本，而且還能夠保證和提高納米壓印圖形的產出率和良品率。

技術領域

本發(fā)明涉及納米壓印技術領域，特別是涉及一種納米壓印的方法。

背景技術

自從華裔科學家Stephen Chou于1995年提出納米壓印概念至今，納米壓印技術已經發(fā)展為科技革命中的核心納米技術之一。納米壓印技術克服了光刻技術中由于衍射導致的分辨率限制，目前分辨率已經達到了5nm以下，從而為制造小尺寸、高密度集成電路提供了有力的支持。目前，納米壓印技術已經形成了熱壓印、軟刻蝕和紫外壓印等三種主要類型。隨著微納米設備技術的發(fā)展，對設備納米尺度的要求越來越精細，然而更精細的模板很難制作，即使模板制作出來，制作的時間特別長，成本也特別高，納米壓印圖形的產出率和良品率都無法保證。

發(fā)明內容

基于此，提供一種可得到更精細的納米壓印圖形的納米壓印的方法。

一種納米壓印的方法，包括以下步驟：

提供襯底，在襯底表面形成聚合物層；

將聚合物層加熱至軟化，并對聚合物層遠離襯底的一側進行第一次壓印，以在聚合物層上形成具有多個光柵線的第一納米壓印圖形；及

將聚合物層加熱至軟化，再對第一納米壓印圖形進行第二次壓印，以得到更精細的納米壓印圖形。

上述納米壓印的方法通過對聚合物層遠離襯底的一側進行兩次壓印，且第二次壓印壓在第一納米光柵圖形上，而使聚合物層遠離襯底的一側發(fā)生兩次形變，使第一納米光柵圖形的光柵間距進一步減小，而得到更精細的納米壓印圖形；同時，不需要制作更精細的模板，在現有模板的基礎上就可以制得更精細的納米壓印圖形，不僅能夠降低模板的制作時間和成本，而且還能夠保證和提高納米壓印圖形的產出率和良品率。

在其中一個實施例中，對聚合物層遠離襯底的一側進行第一次壓印的步驟中，使用第一壓印模板對聚合物層遠離襯底的一側進行第一次壓印；對第一納米壓印圖形進行第二次壓印的步驟中，使用第二壓印模板對第一納米壓印圖形進行第二次壓印，其中，第一壓印模板上具有第一納米光柵圖形，第二壓印模板上具有第二納米光柵圖形，第二納米光柵圖形的光柵周期大于第一納米光柵圖形的光柵周期。

在其中一個實施例中，第一納米光柵圖形的光柵周期為100nm～600nm，第二納米光柵圖形的光柵周期為1μm～5μm。

在其中一個實施例中，襯底選自Si襯底、SiO₂襯底、氮化硅襯底、有機玻璃襯底及ITO玻璃襯底中的一種。

在其中一個實施例中，聚合物層的厚度為25nm～130nm。

在其中一個實施例中，在襯底表面形成聚合物層的步驟具體為：在襯底的表面涂覆漿料，其中，漿料包括聚合物，聚合物選自聚乙烯醇、聚乙烯醇的硅化物、聚乙烯醇的氟化物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯的硅化物、聚甲基丙烯酸甲酯的氟化物、3-己基噻吩聚合物、3-己基噻吩聚合物的硅化物、3-己基噻吩聚合物的氟化物、聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷的硅化物及聚二甲基硅氧烷的氟化物中的一種。

在其中一個實施例中，在襯底的表面涂覆漿料的步驟具體為：在襯底的表面旋涂料漿，其中，旋涂的時間為20s～35s，旋涂的起始轉速為180r/min～250r/min，旋涂的加速度為80rpm/s～120rpm/s。