[發明專利]納米壓印的方法

在審

• 申請號: 201810008147.3
• 申請日: 2018-01-04
• 公開（公告）號: CN108319106A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 鄧丹丹;崔德虎;馬小浩
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟

1.一種納米壓印的方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，在所述襯底表面形成聚合物層；

將所述聚合物層加熱至軟化，并對所述聚合物層遠離所述襯底的一側進行第一次壓印，以在所述聚合物層上形成具有多個光柵線的第一納米壓印圖形；及

將所述聚合物層加熱至軟化，再對所述第一納米壓印圖形進行第二次壓印，以得到更精細的納米壓印圖形。

2.根據權利要求1所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述對所述聚合物層遠離所述襯底的一側進行第一次壓印的步驟中，使用第一壓印模板對所述聚合物層遠離所述襯底的一側進行第一次壓印；所述對所述第一納米壓印圖形進行第二次壓印的步驟中，使用第二壓印模板對所述第一納米壓印圖形進行第二次壓印，其中，所述第一壓印模板上具有第一納米光柵圖形，所述第二壓印模板上具有第二納米光柵圖形，所述第二納米光柵圖形的光柵周期大于所述第一納米光柵圖形的光柵周期。

3.根據權利要求2所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述第一納米光柵圖形的光柵周期為100nm～600nm，所述第二納米光柵圖形的光柵周期為1μm～5μm。

4.根據權利要求1所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述襯底選自Si襯底、SiO₂襯底、氮化硅襯底、有機玻璃襯底及ITO玻璃襯底中的一種。

5.根據權利要求1所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述聚合物層的厚度為25nm～130nm。

6.根據權利要求1所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述在所述襯底表面形成聚合物層的步驟具體為：在所述襯底的表面涂覆漿料，其中，所述漿料包括聚合物，所述聚合物選自聚乙烯醇、聚乙烯醇的硅化物、聚乙烯醇的氟化物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯的硅化物、聚甲基丙烯酸甲酯的氟化物、3-己基噻吩聚合物、3-己基噻吩聚合物的硅化物、3-己基噻吩聚合物的氟化物、聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷的硅化物及聚二甲基硅氧烷的氟化物中的一種。

7.根據權利要求6所述的納米壓印的方法，其特征在于，在所述襯底的表面涂覆所述漿料的步驟具體為：在所述襯底的表面旋涂所述料漿，其中，旋涂的時間為20s～35s，旋涂的起始轉速為180r/min～250r/min，旋涂的加速度為80rpm/s～120rpm/s。

8.根據權利要求1所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述對所述聚合物層遠離所述襯底的一側進行第一次壓印的步驟具體為：以400N/cm²～500N/cm²的壓強對所述聚合物層遠離所述襯底的一側進行第一次壓印，并保壓5min～10min；及/或，所述對所述第一納米壓印圖形進行第二次壓印的步驟具體為：以400N/cm²～500N/cm²的壓強對所述第一納米壓印圖形進行第二次壓印，并保壓5min～10min。

9.根據權利要求2所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述對所述聚合物層遠離所述襯底的一側進行第一次壓印的步驟之前，還包括在所述第一壓印模板表面形成防粘連層的步驟；及/或，所述對所述第一納米壓印圖形進行第二次壓印的步驟之前，還包括在所述第二壓印模板表面形成防粘連層的步驟。

10.根據權利要求9所述的納米壓印的方法，其特征在于，所述防粘連層為烷基硅烷層。