[發(fā)明專利]一種采用半導(dǎo)體芯片由內(nèi)部加熱石材的裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810007942.0
• 申請(qǐng)日: 2018-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108024392A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高振宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 承德福仁堂保健咨詢服務(wù)有限公司
• 主分類號(hào): H05B3/14
• 分類號(hào): H05B3/14;H05B3/18
• 代理公司: 長(zhǎng)沙市和協(xié)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 43115
• 代理人: 王培苓

1.一種采用半導(dǎo)體芯片由內(nèi)部加熱石材的裝置，其特征在于，它包括石材A面、太陽(yáng)花散熱片、半導(dǎo)體芯片、集熱蓄能單元、安裝螺栓、石材B面；

所述石材A面、石材B面為扁圓柱體，所述扁圓柱體的一端成型有扁圓柱形嵌置空間；

所述半導(dǎo)體芯片具有高溫面、低溫面、兩個(gè)電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用半導(dǎo)體芯片由內(nèi)部加熱石材的裝置，其特征在于，所述太陽(yáng)花散熱片成型有呈輻射狀分布的多個(gè)散熱片，所述太陽(yáng)花散熱片嵌置于石材A面的扁圓柱形嵌置空間，所述半導(dǎo)體芯片的高溫面貼合太陽(yáng)花散熱片設(shè)置，該太陽(yáng)花散熱片用于對(duì)半導(dǎo)體芯片高溫面快速散熱到石材A面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用半導(dǎo)體芯片由內(nèi)部加熱石材的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片利用半導(dǎo)體通電后不對(duì)稱發(fā)熱的原理，通電后發(fā)熱形成高溫面、低溫面，所述半導(dǎo)體芯片的高溫面的熱能通過(guò)太陽(yáng)花散熱片快速散熱到石材A面，使石材A面快速蓄熱、儲(chǔ)熱達(dá)到可以工作的溫度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用半導(dǎo)體芯片由內(nèi)部加熱石材的裝置，其特征在于，所述集熱蓄能單元為鋁制扁圓柱體，所述鋁制扁圓柱體嵌置于石材B面的扁圓柱形嵌置空間，所述鋁制扁圓柱體和太陽(yáng)花散熱片成型有相同數(shù)量的多個(gè)固定螺孔，所述鋁制扁圓柱體和太陽(yáng)花散熱片通過(guò)多個(gè)安裝螺栓相固定，所述半導(dǎo)體芯片夾設(shè)于鋁制扁圓柱體和太陽(yáng)花散熱片之間，所述半導(dǎo)體芯片的低溫面貼合鋁制扁圓柱體，該鋁制扁圓柱體用于降溫、蓄能、集熱儲(chǔ)能，對(duì)半導(dǎo)體芯片低溫面散發(fā)出來(lái)的熱能迅速接受，同時(shí)對(duì)半導(dǎo)體芯片低溫面進(jìn)行降溫，把半導(dǎo)體芯片低溫面的熱能向集熱蓄能單元收集后儲(chǔ)存在集熱蓄能單元，再通過(guò)集熱蓄能單元向石材B面?zhèn)鲗?dǎo)，從而形成以半導(dǎo)體芯片為核心的兩側(cè)的溫度差。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用半導(dǎo)體芯片由內(nèi)部加熱石材的裝置，其特征在于，所述安裝螺栓還用于集熱蓄能單元向石材A面散熱，補(bǔ)充熱傳遞的途徑，可以提高石材A面散熱和蓄熱的時(shí)間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用半導(dǎo)體芯片由內(nèi)部加熱石材的裝置，其特征在于，所述石材B面作為工作面，因?yàn)樾钅軆?chǔ)能時(shí)間長(zhǎng)，升溫慢，作為石材A面的代償與補(bǔ)充工作面，同石材A面的溫度差在20-34度之間，可以手握使用。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用半導(dǎo)體芯片由內(nèi)部加熱石材的裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片采用直流或交流加熱方式。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用半導(dǎo)體芯片由內(nèi)部加熱石材的裝置，其特征在于，所述石材A面和石材B面采用不易粉碎且無(wú)有害輻射的砭石、玉石、大理石。