[發明專利]在源極/漏極形成后的擴散間斷部位形成及相關IC結構

有效

• 申請號: 201810007306.8
• 申請日: 2018-01-04
• 公開（公告）號: CN108281362B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 喬治·R·姆芬格;J·Z·瓦爾納
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/762;H01L23/10;H01L27/04
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種形成擴散間斷部位的方法，該方法包含：

提供包括絕緣體上覆半導體(SOI)襯底的結構，該絕緣體上覆半導體襯底具有多個主動柵極及介于該多個主動柵極的所選擇的一對主動柵極之間的虛設柵極、以及介于所選擇的該對主動柵極的各者與該虛設柵極之間的隆起源極/漏極區，其中，該結構更包括淺溝槽隔離(STI)柵極切口區，該淺溝槽隔離柵極切口區包括位在該多個主動柵極的所選擇主動柵極的一部分下面的該絕緣體上覆半導體襯底中的淺溝槽隔離；以及

然后，通過下列步驟形成該擴散間斷部位：

將該虛設柵極的柵極堆棧移除至該絕緣體上覆半導體襯底的埋置型絕緣體，建立第一開口；

用介電質填充該第一開口以形成該擴散間斷部位，該擴散間斷部位與該埋置型絕緣體的上表面接觸；以及

在該形成該擴散間斷部位的同時，形成位在該多個主動柵極的該所選擇主動柵極中的隔離，該隔離使該所選擇主動柵極分開成兩個已隔離的主動柵極部分，以及其中，該隔離位于該淺溝槽隔離上方。

2.如權利要求1所述的方法，其中，在該所選擇主動柵極中形成該擴散間斷部位與該隔離包括：

使用將該虛設柵極與該淺溝槽隔離柵極切口區包覆的硅化物掩模來形成硅化物；

沉積接觸蝕刻終止層；

形成使該接觸蝕刻終止層在該虛設柵極上方及該淺溝槽隔離柵極切口區上方選擇性曝露的介電層；

蝕刻該接觸蝕刻終止層以使該虛設柵極的該柵極堆棧曝露，并且使在該淺溝槽隔離柵極切口區中的該所選擇主動柵極曝露，

其中，移除該虛設柵極的該柵極堆棧也包括將該所選擇主動柵極移除至該淺溝槽隔離，建立第二開口，以及

其中，用該介電質填充該第一開口包括用該介電質填充該第二開口，以在該所選擇主動柵極中形成該隔離，該隔離與該淺溝槽隔離接觸。

3.如權利要求2所述的方法，其中，在蝕刻該蝕刻終止層前，先在該淺溝槽隔離柵極切口區中的該介電層中的開口中形成間隔物。

4.如權利要求1所述的方法，更包含在移除該虛設柵極之前：

使用將該虛設柵極包覆的硅化物掩模來形成硅化物；

沉積接觸蝕刻終止層；

形成介電層，留下該接觸蝕刻終止層在該虛設柵極的該柵極堆棧上方曝露；以及

蝕刻該接觸蝕刻終止層以使該虛設柵極的該柵極堆棧曝露。

5.如權利要求4所述的方法，其中，該硅化物掩模也包覆位在該絕緣體上覆半導體襯底上的多晶硅電阻器。

6.如權利要求1所述的方法，更包含在用該介電質填充前，先在該第一開口內形成間隔物。

7.如權利要求1所述的方法，其中，提供該結構更包括在當作溝道區用于該多個主動柵極的該絕緣體上覆半導體襯底的絕緣體上覆半導體層中賦予壓縮應變。