[發(fā)明專利]一種靶材刻蝕量測(cè)量裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810007139.7
• 申請(qǐng)日: 2018-01-03
• 公開（公告）號(hào): CN108180814B
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肖亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): G01B5/18
• 分類號(hào): G01B5/18
• 代理公司: 11274 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 賈瑩

本發(fā)明實(shí)施例提供一種靶材刻蝕量測(cè)量裝置，涉及物理氣相沉積領(lǐng)域，解決人為判斷固定點(diǎn)并對(duì)該點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量，導(dǎo)致靶材刻蝕量的測(cè)量精度較低的問題。該靶材刻蝕量測(cè)量裝置包括采集部和測(cè)量部；采集部包括測(cè)量針框架以及設(shè)置于測(cè)量針框架內(nèi)的多排測(cè)量針；多排測(cè)量針的測(cè)量端用于與靶材的至少一部分刻蝕面相接觸，并形成與測(cè)量針相接觸的刻蝕面相匹配的模擬面；測(cè)量部與形成模擬面后的采集部相互對(duì)合，測(cè)量部用于與模擬面凸起尺寸最大處的測(cè)量針的測(cè)量端相接觸，并測(cè)得刻蝕面凹陷的最大深度。該靶材刻蝕量測(cè)量裝置用于對(duì)靶材的刻蝕面的刻蝕深度進(jìn)行測(cè)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及物理氣相沉積領(lǐng)域，尤其涉及一種靶材刻蝕量測(cè)量裝置。

背景技術(shù)

PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沉積)技術(shù)在機(jī)械、電子、半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。PVD技術(shù)制備薄膜的原理為：在真空濺鍍?cè)O(shè)備中，濺射源在電場(chǎng)的作用下產(chǎn)生加速電子，加速電子與預(yù)先通入的惰性氣體(通常為Ar氣)碰撞得到帶正電的粒子，帶正電的粒子受到陰極(靶材)的吸引而轟擊靶材表面的原子，被轟擊出來(lái)的靶材原子具有一定的動(dòng)能，轉(zhuǎn)移至玻璃襯底上沉積而形成薄膜。

然而，隨著靶材的不斷消耗，其表面會(huì)逐漸形成不規(guī)則的刻蝕曲面，當(dāng)曲面最大深度幾近靶材自身厚度時(shí)，靶材壽命達(dá)到最大值，如果此時(shí)繼續(xù)使用該靶材，將導(dǎo)致靶材擊穿的現(xiàn)象發(fā)生，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量，增加工藝風(fēng)險(xiǎn)。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了解決上述問題，可以利用深度計(jì)對(duì)平面靶材固定點(diǎn)的刻蝕深度進(jìn)行測(cè)量。然而，實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，靶材的刻蝕曲面是不規(guī)則的，因此人為判斷上述固定點(diǎn)的位置會(huì)產(chǎn)生較大的主觀誤差，從而降低了靶材刻蝕量的測(cè)量精度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種靶材刻蝕量測(cè)量裝置，用于解決人為判斷固定點(diǎn)并對(duì)該點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量，導(dǎo)致靶材刻蝕量的測(cè)量精度較低的問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種靶材刻蝕量測(cè)量裝置，包括采集部和測(cè)量部；所述采集部包括測(cè)量針框架以及設(shè)置于所述測(cè)量針框架內(nèi)的多排測(cè)量針；所述多排測(cè)量針的測(cè)量端用于與靶材的至少一部分刻蝕面相接觸，并形成與所述測(cè)量針相接觸的刻蝕面相匹配的模擬面；所述測(cè)量部與形成所述模擬面后的所述采集部相互對(duì)合，所述測(cè)量部用于與所述模擬面凸起尺寸最大處的測(cè)量針的測(cè)量端相接觸，并測(cè)得所述刻蝕面凹陷的最大深度。

可選的，所述測(cè)量部包括支架以及安裝于所述支架上的測(cè)量尺；所述支架和所述測(cè)量針框架的內(nèi)側(cè)設(shè)置有軌道；在采集部與所述測(cè)量部對(duì)合的情況下，所述測(cè)量尺用于沿所述支架上的軌道移動(dòng)至所述測(cè)量針框架上的軌道，并與所述模擬面凸起尺寸最大處的測(cè)量針的測(cè)量端相接觸。

可選的，構(gòu)成所述測(cè)量針框架和所述測(cè)量針的材料為軟磁材料；所述測(cè)量針框架內(nèi)部設(shè)置有電磁線。

可選的，所述采集部還包括安裝于所述測(cè)量針框架上的振動(dòng)器；所述振動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)所述測(cè)量針沿平行于該測(cè)量針橫截面的方向振動(dòng)。

可選的，所述測(cè)量尺的側(cè)面設(shè)置有第一刻度線；所述支架靠近所述采集部的一端設(shè)置有第二刻度線；其中，所述第一刻度線所在的表面與所述第二刻度線所在的表面平行；所述測(cè)量針框架與所述支架對(duì)合形成的接觸面位于所述第二刻度線的零刻度；所述第一刻度線與所述第二刻度線的最小刻度值相同。

可選的，所述測(cè)量尺的厚度大于或等于所述靶材的厚度。

可選的，所述測(cè)量針框架與所述支架相對(duì)的表面設(shè)置有第一卡合結(jié)構(gòu)；所述支架與所述測(cè)量針框架相對(duì)的表面設(shè)置有與所述第一卡合結(jié)構(gòu)相配合的第二卡合結(jié)構(gòu)。

可選的，所述測(cè)量尺在靠近所述軌道的一側(cè)設(shè)置有滾珠。

可選的，所述測(cè)量部還包括推桿和把手；所述推桿的一端安裝于所述測(cè)量尺的背面，所述測(cè)量尺的背面和所述測(cè)量尺與所述模擬面相接觸的表面相對(duì)設(shè)置；所述把手安裝于所述推桿的另一端。