[發明專利]石墨烯/六方氮化硼/石墨烯紫外光探測器及制備方法

在審

• 申請號: 201810004657.3
• 申請日: 2018-01-03
• 公開（公告）號: CN108231945A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 劉恒;張興旺;尹志崗;孟軍華
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L31/102
• 分類號: H01L31/102;H01L31/0256;H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯寶平

1.一種石墨烯/六方氮化硼/石墨烯紫外光探測器，包括：

一襯底；

一絕緣層，其制作在襯底上，起到絕緣的作用；

一第一石墨烯層，其制作在絕緣層上的中間部位，該第一石墨烯層為條狀；

一六方氮化硼層，其制作在第一石墨烯層上的一側，并覆蓋部分絕緣層；

一第二石墨烯層，其制作在六方氮化硼層上，并覆蓋部分絕緣層；

一第一電極，其制作在絕緣層上，并與第一石墨烯層的一端接觸；

一第二電極，其制作在在絕緣層上，并與第二石墨烯層的一端接觸。

2.根據權利要求1所述的石墨烯/六方氮化硼/石墨烯紫外光探測器，其中所述襯底的材料為重摻雜的單晶硅。

3.根據權利要求1所述的石墨烯/六方氮化硼/石墨烯的紫外光探測器，其中所述絕緣層的材料為二氧化硅。

4.根據權利要求1所述的石墨烯/六方氮化硼/石墨烯的紫外光探測器，其中所述第一、第二石墨烯層為單層或少數多層，所述六方氮化硼層的厚度為1-20納米。

5.根據權利要求1所述的石墨烯/六方氮化硼/石墨烯的紫外光探測器，其中所述第一電極和第二電極的材料為Ti、Cr、Au或Ag，厚度為100-200納米。

6.一種石墨烯/六方氮化硼/石墨烯紫外光探測器的制備方法，包括以下步驟：

步驟1：采用化學氣相沉積法在過渡金屬上制備單層和少數多層的石墨烯；

步驟2：采用離子束輔助濺射法在另一過渡金屬上制備多層六方氮化硼薄膜；

步驟3：在石墨烯上旋涂一層松香，通過濕法腐蝕去除過渡金屬層，只保留石墨烯和松香；

步驟4：隨后將石墨烯轉移到襯底上的絕緣層上，并用丙酮清洗掉石墨烯表面的松香；

步驟5：使用與步驟3至步驟4相似的方法，在第一石墨烯上轉移六方氮化硼以及第二石墨烯，構建第一石墨烯/六方氮化硼/第二石墨烯結構；

步驟6：在第一石墨烯上的一端沉積第一電極；

步驟7：在第二石墨烯上的一端沉積第二電極。

7.根據權利要求6所述的石墨烯/六方氮化硼/石墨烯的紫外光探測器的制備方法，其中所述襯底的材料為重摻雜的單晶硅。

8.根據權利要求6所述的石墨烯/六方氮化硼/石墨烯紫外光探測器的制備方法，其中所述絕緣層的材料為二氧化硅。

9.根據權利要求6所述的石墨烯/六方氮化硼/石墨烯的紫外光探測器的制備方法，其中所述第一、第二石墨烯層為單層或少數多層，所述六方氮化硼層的厚度為1-20納米。

10.根據權利要求6所述的石墨烯/六方氮化硼/石墨烯的紫外光探測器的制備方法，其中所述第一電極和第二電極的材料為Ti、Cr、Au或Ag，厚度為100-200納米。