[發(fā)明專(zhuān)利]電子組件及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810004295.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-03 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109148156B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅在永 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01G4/38 | 分類(lèi)號(hào): | H01G4/38;H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 孫麗妍;汪喆 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 組件 及其 制造 方法 | ||
本公開(kāi)提供一種電子組件及其制造方法,所述電子組件被設(shè)置為包括:電容器陣列,具有布置有多個(gè)電容器的結(jié)構(gòu);一對(duì)金屬框架,設(shè)置在所述電容器陣列的側(cè)表面上,連接到所述多個(gè)電容器的外電極,并包括形成在所述一對(duì)金屬框架連接到所述外電極的位置中的滲透部分;及鍍覆構(gòu)件,填充所述滲透部分。
本申請(qǐng)是基于在2017年6月27日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2017-0081008號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)并要求該優(yōu)先權(quán)的權(quán)益,所述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用被全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及一種電子組件及其制造方法。
背景技術(shù)
隨著車(chē)輛等的電子部件中使用電容器要求高電容、高電壓和高可靠性,已經(jīng)使用電解電容器、薄膜電容器等。
然而,由于電解電容器、薄膜電容器等的低的熱穩(wěn)定性使得它們中需要單獨(dú)的冷卻裝置,從而增加了這樣的電子組件的成本。
為了解決該問(wèn)題,可考慮將通過(guò)幾十至幾百個(gè)熱穩(wěn)定的但具有低電容的多層電容器彼此粘合來(lái)替代電解電容器、薄膜電容器等以獲得高電容的方法。
作為粘合根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的多層電容器的方法,存在一種在將諸如高溫焊料等的粘合劑涂敷到多層電容器或金屬框架之后使用熱處理將兩個(gè)或三個(gè)多層電容器彼此粘合的方法。
然而,根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的這種方法存在以下問(wèn)題:為了粘合幾十至幾百個(gè)電容器,應(yīng)進(jìn)行諸如將粘合劑涂敷到多層電容器、堆疊多層電容器、熱處理等的數(shù)個(gè)過(guò)程。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面可提供一種在不使用諸如高溫焊料等的任何粘合手段的情況下以簡(jiǎn)單的方式使多個(gè)電容器彼此可靠地粘合的電子組件及其制造方法。
根據(jù)本公開(kāi)的一方面,一種電子組件可包括:電容器陣列,具有布置有多個(gè)電容器的結(jié)構(gòu);一對(duì)金屬框架,設(shè)置在所述電容器陣列的側(cè)表面上,連接到所述多個(gè)電容器的外電極,并包括形成在所述一對(duì)金屬框架連接到所述外電極的位置中的滲透部分;及鍍覆構(gòu)件,填充所述滲透部分。
所述多個(gè)電容器中的每個(gè)電容器可包括陶瓷主體及第一外電極和第二外電極,其中,所述陶瓷主體包括介電層以及多個(gè)第一內(nèi)電極和多個(gè)第二內(nèi)電極,并且所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極與介于所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間的所述介電層中的每個(gè)介電層交替地設(shè)置。
所述電容器陣列可具有所述多個(gè)電容器堆疊成列或堆疊成行的結(jié)構(gòu)。
所述電容器陣列可具有所述多個(gè)電容器堆疊成列和堆疊成行的結(jié)構(gòu)。
所述滲透部分的面積可以是所述外電極的與所述一對(duì)金屬框架接觸的面積的50%或更多。
所述鍍覆構(gòu)件可具有10μm或更大的厚度。
所述金屬框架可與所述外電極直接接觸。
除了形成在所述電容器陣列的所述多個(gè)電容器的陶瓷主體暴露到外部的部分外,所述鍍覆構(gòu)件還可形成在所述電容器陣列的外表面的設(shè)置有所述一對(duì)金屬框架的部分上。
根據(jù)本公開(kāi)的另一方面,一種電子組件的制造方法可包括:制備電容器陣列,所述電容器陣列具有布置有多個(gè)電容器的結(jié)構(gòu);在所述電容器陣列的側(cè)表面上設(shè)置一對(duì)金屬框架,所述一對(duì)金屬框架連接到所述多個(gè)電容器的外電極并包括形成在所述一對(duì)金屬框架連接到所述外電極的位置中的滲透部分;及對(duì)設(shè)置有所述一對(duì)金屬框架的電容器陣列進(jìn)行鍍覆。
所述多個(gè)電容器中的每個(gè)電容器可包括陶瓷主體及第一外電極和第二外電極,其中,所述陶瓷主體包括介電層以及多個(gè)第一內(nèi)電極和多個(gè)第二內(nèi)電極,并且所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極與介于所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極之間的所述介電層中的每個(gè)介電層交替地設(shè)置。
所述電容器陣列可具有所述多個(gè)電容器堆疊成列或堆疊成行的結(jié)構(gòu)。
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