[發明專利]電子組件及其制造方法有效
| 申請號： | 201810004295.8 | 申請日： | 2018-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN109148156B | 公開（公告）日： | 2020-09-01 |
| 發明（設計）人： | 羅在永 | 申請（專利權）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/38 | 分類號： | H01G4/38;H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 孫麗妍;汪喆 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 組件 及其 制造 方法 | ||
1.一種電子組件，包括：
電容器陣列，具有布置有多個電容器的結構；
一對金屬框架，設置在所述電容器陣列的側表面上，連接到所述多個電容器的外電極，并包括形成在所述一對金屬框架連接到所述外電極的位置中的滲透部分；及
鍍覆構件，填充所述滲透部分并設置在所述一對金屬框架的暴露于外部的暴露部分上。
2.如權利要求1所述的電子組件，其中，所述多個電容器中的每個電容器包括陶瓷主體及第一外電極和第二外電極，所述陶瓷主體包括介電層以及多個第一內電極和多個第二內電極，并且所述第一內電極和所述第二內電極與介于所述第一內電極和所述第二內電極之間的所述介電層中的每個介電層交替地設置。
3.如權利要求1所述的電子組件，其中，所述電容器陣列具有所述多個電容器堆疊成列或堆疊成行的結構。
4.如權利要求1所述的電子組件，其中，所述電容器陣列具有所述多個電容器堆疊成列和堆疊成行的結構。
5.如權利要求1所述的電子組件，其中，所述滲透部分的面積是所述外電極的與所述一對金屬框架接觸的面積的50％或更多。
6.如權利要求1所述的電子組件，其中，所述鍍覆構件具有10μm或更大的厚度。
7.如權利要求1所述的電子組件，其中，所述一對金屬框架與所述外電極直接接觸。
8.如權利要求1所述的電子組件，其中，所述鍍覆構件還形成在所述外電極的從所述一對金屬框架暴露的部分上。
9.一種電子組件的制造方法，所述制造方法包括：
制備電容器陣列，所述電容器陣列具有布置有多個電容器的結構；
在所述電容器陣列的側表面上設置一對金屬框架，所述一對金屬框架連接到所述多個電容器的外電極并包括形成在所述一對金屬框架連接到所述外電極的位置中的滲透部分；及
對設置有所述一對金屬框架的所述電容器陣列進行鍍覆以形成鍍覆構件，所述鍍覆構件填充所述滲透部分并設置在所述一對金屬框架的暴露于外部的暴露部分上。
10.如權利要求9所述的制造方法，其中，所述多個電容器中的每個電容器包括陶瓷主體及第一外電極和第二外電極，所述陶瓷主體包括介電層以及多個第一內電極和多個第二內電極，并且所述第一內電極和所述第二內電極與介于所述第一內電極和所述第二內電極之間的所述介電層中的每個介電層交替地設置。
11.如權利要求9所述的制造方法，其中，所述電容器陣列具有所述多個電容器堆疊成列或堆疊成行的結構。
12.如權利要求9所述的制造方法，其中，所述電容器陣列具有所述多個電容器堆疊成列和堆疊成行的結構。
13.如權利要求9所述的制造方法，其中，所述滲透部分的面積是所述外電極的與所述一對金屬框架接觸的面積的50％或更多。
14.如權利要求9所述的制造方法，其中，所述鍍覆構件具有10μm或更大的厚度。
15.如權利要求9所述的制造方法，其中，在一對金屬框架的設置中，所述一對金屬框架被設置為與所述外電極直接接觸。
16.如權利要求9所述的制造方法，其中，在所述電容器陣列的所述鍍覆中，所述鍍覆構件還形成在所述外電極的從所述一對金屬框架暴露的部分上。
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