[發明專利]一種基因測序基板及其制備方法、基因測序裝置

有效

• 申請號: 201810004294.3
• 申請日: 2018-01-03
• 公開（公告）號: CN108220412B
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: 蔡佩芝;龐鳳春;耿越;古樂;車春城
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: C12Q1/6869
• 分類號: C12Q1/6869
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種基因測序基板，其特征在于，包括：由塑性材料形成的襯底，所述襯底的一面上設有內凹結構，所述內凹結構為基因測序的反應池；所述內凹結構的內壁上設有第一保護層，其中，所述第一保護層是整層保護層，或，第一保護層是在與反應液接觸的位置處設置的膜層；

所述第一保護層的材料為透明金屬氧化物；

所述反應池的橫截面的尺寸范圍是10-1000nm或者1-100μm。

2.根據權利要求1所述的基因測序基板，其特征在于，所述塑性材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚對苯二甲酸乙二醇酯中的任意一種或多種。

3.根據權利要求1所述的基因測序基板，其特征在于，所述透明金屬氧化物包括氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鉭、氧化鉿中的任意一種或多種。

4.一種基因測序基板的制備方法，其特征在于，包括：以下制備步驟：

直接在塑性材料的一面上形成內凹結構，所述內凹結構為基因測序的反應池；

在所述內凹結構內壁形成第一保護層，其中，所述第一保護層是整層保護層，或，第一保護層是在與反應液接觸的位置處設置的膜層；

所述第一保護層的材料為透明金屬氧化物；

所述反應池的橫截面的尺寸范圍可以是10-1000nm或者1-100μm。

5.根據權利要求4所述的基因測序基板的制備方法，其特征在于，所述直接在塑性材料的一面上形成內凹結構采用納米壓印工藝形成；

所述形成內凹結構之前還包括將塑性材料進行加熱以使塑性材料軟化的步驟；

形成內凹結構之后還包括將塑性材料冷卻的步驟。

6.根據權利要求4所述的基因測序基板的制備方法，其特征在于，所述直接在塑性材料的一面上形成內凹結構采用曝光刻蝕工藝形成。

7.一種基因測序裝置，其特征在于，包括相對設置的第一基板和第二基板，所述第一基板為權利要求1-3任一項所述的基因測序基板；

所述第二基板上設有微流道，用于連接內凹結構與進樣口或出樣口，所述微流道內壁具有金屬氧化物第二保護層。

8.根據權利要求7所述的基因測序裝置，其特征在于，所述第二基板上設有與內凹結構連接的進樣口和出樣口。