[發(fā)明專利]一種掩模板及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810004139.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108232041A | 公開(公告)日: | 2018-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉文祺;孫中元;朱海彬;薛金祥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/56 | 分類號(hào): | H01L51/56;C23C14/04 |
| 代理公司: | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生輝 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩模板 圍堰 開口 制備 沉積材料沉積 化學(xué)氣相沉積 第一表面 四周邊緣 無效區(qū)域 沉積 鍍膜 基板 減小 蒸鍍 封裝 環(huán)繞 阻擋 擴(kuò)散 陰影 | ||
1.一種掩模板,包括本體,所述本體上設(shè)有多個(gè)開口,其特征在于,所述本體的第一表面上設(shè)有環(huán)繞各個(gè)開口的圍堰,所述圍堰限制通過所述開口沉積在基板上的材料的擴(kuò)散范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述圍堰的內(nèi)壁與所述開口的內(nèi)壁平齊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模板,其特征在于,所述圍堰由耐高溫柔性材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述耐高溫柔性材料為聚酰亞胺或聚苯乙烯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的掩模板,其特征在于,所述圍堰的高度為(0,0.1]mm,所述圍堰的側(cè)壁厚度為(1,3]mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板,其特征在于,掩模板為柔性掩模板。
7.一種掩模板制備方法,所述掩模板設(shè)有多個(gè)開口,其特征在于,所述方法包括:在所述掩膜板的第一表面上形成環(huán)繞各個(gè)開口的圍堰,其中所述圍堰限制通過所述開口沉積在基板上的材料的擴(kuò)散范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩模板制備方法,其特征在于,形成所述圍堰包括:將所述圍堰的內(nèi)壁形成為與所述開口的內(nèi)壁平齊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的掩模板制備方法,其特征在于,形成所述圍堰包括:
在掩模板的第一表面形成聚酰亞胺層;
對(duì)聚酰亞胺層進(jìn)行激光切割或刻蝕,以使得留下的部分形成所述圍堰。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的掩模板制備方法,其特征在于,形成所述圍堰包括:
在掩模板的第一表面形成聚苯乙烯層;
圖案化所述聚苯乙烯層形成彼此間隔的多個(gè)柱狀結(jié)構(gòu);
對(duì)部分柱狀結(jié)構(gòu)進(jìn)行激光切割或刻蝕,以使得留下的柱狀結(jié)構(gòu)形成所述圍堰。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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