[發明專利]一種掩模板及其制備方法

在審

• 申請號: 201810004139.1
• 申請日: 2018-01-03
• 公開（公告）號: CN108232041A
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 劉文祺;孫中元;朱海彬;薛金祥
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;C23C14/04
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

本發明公開一種掩模板及其制備方法，該掩模板包括本體，本體上設有多個開口，本體的第一表面上設有環繞各個開口的圍堰，圍堰限制通過開口沉積在基板上的材料的擴散范圍。本發明通過在掩模板本體的一側表面的每個開口四周邊緣位置設置的圍堰，實現了在采用化學氣相沉積(CVD)進行鍍膜或蒸鍍過程中，圍堰可以有效的阻擋沉積材料沉積到無效區域，減小了CVD陰影，改善了封裝效果。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域。更具體地，涉及一種掩模板及其制備方法。

背景技術

有機電致發光顯示面板(Organic Electroluminesecent Display，OLED)相對于液晶顯示屏(Liquid Crystal Display，LCD)，具有自發光、發光效率高、功耗低、反應快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優點，OLED被認為是下一代顯示技術，越來越受到關注。

在OLED制造技術中，其各種功能層通常基于如圖1所示的掩模板100，采用化學氣相沉積(CVD)進行鍍膜或蒸鍍。例如，通常薄膜封裝層設置為無機層和有機層交錯堆疊的方式，其中無機薄膜具有很高的水汽隔離能力，通常用作阻水層，而阻水層通常采用化學氣相沉積(CVD)進行鍍膜。對于有機電子器件，尤其是OLED來說，要嚴格杜絕來自周圍環境的氧氣和水氣進入器件內部接觸到敏感的有機物質和電極。氧氣和水汽很難從阻水層的厚度方向進入有機器件內部，但是容易從阻水層的邊緣及阻水層與基板接合的部位進入。目前的阻水層有SiNx或SiON膜層，通常通過結合薄膜封裝(TFE)的化學氣相沉積(CVD)進行鍍膜或蒸鍍。如圖2中2-a和2-b所示，在基于掩模板100(特別是柔性掩模板)，采用化學氣相沉積(CVD)進行鍍膜的過程中，一方面，掩模板100(Mask)與基板200之間不可避免的存在的間隙(Gap)，而該間隙會導致鍍膜時出現陰影區域(CVD Shadow)，陰影區域的存在影響著邊框的封裝效果；如果掩模板100(Mask)是柔性掩模板，還會出現在放置時由于重力作用下垂，造成每個柔性掩模板的本體區域的片(sheet)形變不同，導致每個柔性掩模板的本體區域對應的陰影區域(CVD Shadow)不同，使得消除陰影區域(CVD Shadow)更加困難。另一方面，掩模板100(Mask)與基板200在對位或移動過程中，容易出現兩者接觸，如果兩者接觸很容易導致掩模板100(Mask)對基板200造成劃傷，影響鍍膜、蒸鍍或者封裝效果。

因此，需要提供一種可消除陰影區域，進而還可避免對基板造成劃傷的掩模板及其制備方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種可消除陰影區域，進而還可避免對基板造成劃傷的掩模板及其制備方法。

為達到上述目的，本發明采用下述技術方案：

本發明第一方面提供一種掩模板，包括本體，所述本體上設有多個開口，其特征在于，所述本體的第一表面上設有環繞各個開口的圍堰，所述圍堰限制通過所述開口沉積在基板上的材料的擴散范圍。

本發明的第一方面提供的掩模板，通過在掩模板本體靠近基板的表面設置環繞各個開口的用于限制通過開口沉積在基板上的材料的擴散范圍的圍堰(或者說堤壩，是一種Dam結構)，在基于該掩模板，采用CVD進行鍍膜或蒸鍍時，圍堰可有效的阻擋沉積材料(例如等離子體Plasma等)沉積到無效區域，消除陰影區域。

優選地，本發明第一方面提供一種掩模板中，所述圍堰的內壁與所述開口的內壁平齊，則圍堰將通過開口沉積在基板上的材料的擴散范圍限制在開口的投影區域。這樣可更有效的阻擋沉積材料沉積到無效區域，最大限度的消除陰影區域。

優選地，本發明第一方面提供一種掩模板中，所述圍堰由耐高溫柔性材料制成。這樣，圍堰可彈性伸縮，由此避免了采用CVD進行鍍膜或蒸鍍時掩模板本體對基板形成接觸劃傷。

優選地，本發明第一方面提供一種掩模板中，所述耐高溫柔性材料為聚酰亞胺(PI)或聚苯乙烯(PS)。