[發明專利]掩膜板及其制備方法

有效

• 申請號: 201810002630.0
• 申請日: 2018-01-02
• 公開（公告）號: CN108193191B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 齊忠勝;李杰威;殷川;熊先江;毛波
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/04
• 分類號: C23C16/04;C23C18/36;C09D127/18;C09D161/16;C09D181/02;C09D7/61
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種掩膜板，其特征在于，包括：

掩膜板母板，所述掩膜板母板為因瓦合金；

保護層，所述保護層設置于掩膜板母板的至少一個表面上，所述保護層用于保護所述掩膜板母板和/或與所述掩膜板直接接觸的襯底不受損傷，

所述保護層包括鎳-磷薄膜和氟碳涂層，且基于所述鎳-磷薄膜的總質量，按照質量百分比計，磷的含量為8-9％，

基于所述氟碳涂層的總質量，按照質量百分比計，所述氟碳涂層包括15～25％的聚醚醚酮、5～10％的聚苯硫醚、5～10％的MoS₂，以及余量的聚四氟乙烯，

制備所述掩膜板的方法包括：

提供掩膜板母板，所述掩膜板母板為因瓦合金；

形成保護層，所述保護層設置于所述掩膜板母板的至少一個表面上，所述保護層用于保護所述掩膜板母板和/或與所述掩膜板直接接觸的襯底不受損傷，

其中，所述氟碳涂層是采用噴涂的方法形成的；

所述鎳-磷薄膜是將所述掩膜板母板浸入鎳-磷薄膜鍍液中形成的，其中，所述鎳-磷薄膜鍍液包括：

NiSO₄·7H₂O 15～20g/L；

NaH₂PO₂·H₂O 25～30g/L；

Na₃C₆H₅O₇·2H₂O 8～10g/L；及

NH₄Cl 25～30g/L，

所述掩膜板母板在所述鎳-磷薄膜鍍液中浸泡之后，進一步包括熱處理的步驟，所述熱處理的溫度為350-450℃。

2.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述保護層包括所述鎳-磷薄膜和所述氟碳涂層，其中，所述鎳-磷薄膜設置在所述掩膜板模板的至少一個表面上，所述氟碳涂層設置于所述鎳-磷薄膜遠離所述掩膜板母板的表面上。

3.一種制備掩膜板的方法，其特征在于，包括：

提供掩膜板母板，所述掩膜板母板為因瓦合金；

形成保護層，所述保護層設置于所述掩膜板母板的至少一個表面上，所述保護層用于保護所述掩膜板母板和/或與所述掩膜板直接接觸的襯底不受損傷，

其中，所述保護層包括鎳-磷薄膜和氟碳涂層，且基于所述鎳-磷薄膜的總質量，按照質量百分比計，磷的含量為8-9％，

其中，所述氟碳涂層是采用噴涂的方法形成的；

所述鎳-磷薄膜是將所述掩膜板母板浸入鎳-磷薄膜鍍液中形成的，其中，所述鎳-磷薄膜鍍液包括：

NiSO₄·7H₂O 15～20g/L；

NaH₂PO₂·H₂O 25～30g/L；

Na₃C₆H₅O₇·2H₂O 8～10g/L；及

NH₄Cl 25～30g/L，

所述掩膜板母板在所述鎳-磷薄膜鍍液中浸泡之后，進一步包括熱處理的步驟，所述熱處理的溫度為350-450℃。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述鎳-磷薄膜鍍液的溫度為60-100℃，所述掩膜板母板浸入鎳-磷薄膜鍍液中的pH為4.5-5.5。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，將所述掩膜板母板浸入所述鎳-磷薄膜鍍液之前，進一步包括：

對所述掩膜板母板依次進行敏化處理和活化處理。