[發明專利]掩膜板及其制造方法、掩膜組件及蒸鍍裝置

在審

• 申請號: 201810002259.8
• 申請日: 2018-01-02
• 公開（公告）號: CN107904554A
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 張新建;劉麗國;尹志
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括：掩膜圖形區域，以及所述掩膜圖形區域的周邊區域，

所述周邊區域包括凹陷結構，且所述凹陷結構的凹陷方向平行于所述掩膜板的厚度方向。

2.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述凹陷結構為設置于所述周邊區域遠離所述掩膜圖形區域的邊緣的臺階。

3.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述凹陷結構為凹槽。

4.根據權利要求1至3任一所述的掩膜板，其特征在于，所述周邊區域包括至少一組所述凹陷結構，每組所述凹陷結構包括：相對設置在所述掩膜圖形區域兩側的兩個所述凹陷結構。

5.根據權利要求1至3任一所述的掩膜板，其特征在于，所述凹陷結構為包圍所述掩膜圖形區域的環形凹陷結構。

6.根據權利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜圖形區域為矩形區域，所述環形凹陷結構為方環形凹陷結構。

7.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述凹陷結構的最大凹陷深度大于15微米。

8.根據權利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的材質為因瓦合金。

9.一種掩膜板的制造方法，其特征在于，所述掩膜板為權利要求1至8任一所述的掩膜板，所述方法包括：

制造包括掩膜圖形區域以及所述掩膜圖形區域的周邊區域的掩膜板；

其中，所述周邊區域包括凹陷結構，且所述凹陷結構的凹陷方向平行于所述掩膜板的厚度方向。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述制造包括掩膜圖形區域以及所述掩膜圖形區域的周邊區域的掩膜板，包括：

提供基板；

在所述基板上形成所述掩膜圖形區域；

采用刻蝕的方式在所述基板上形成所述凹陷結構，以得到所述掩膜板。

11.根據權利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述凹陷結構為設置于所述周邊區域遠離所述掩膜圖形區域的邊緣的臺階。

12.根據權利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述凹陷結構為凹槽。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述凹陷結構的最大凹陷深度大于15微米。

14.一種掩膜組件，其特征在于，所述掩膜組件包括權利要求1至8任一所述的掩膜板。

15.一種蒸鍍裝置，其特征在于，所述蒸鍍裝置包括權利要求14所述的掩膜組件。