[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810001701.5 | 申請日： | 2018-01-02 |
| 公開（公告）號： | CN109994587B | 公開（公告）日： | 2021-01-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳柏君;汪瓊;張國華;祝慶;陳柏松 | 申請（專利權(quán)）人： | 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/42 | 分類號： | H01L33/42;H01L33/38 |
| 代理公司： | 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭瑋;李雙皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 芯片 | ||
1.一種發(fā)光二極管芯片，包括襯底、N型層、應(yīng)力釋放層、發(fā)光層、P型層、透明導(dǎo)電層、P型電極以及N型電極，所述N型層、所述應(yīng)力釋放層、所述發(fā)光層、所述P型層以及所述透明導(dǎo)電層依次層疊設(shè)置于所述襯底，所述N型電極設(shè)置于所述N型層，所述P型電極設(shè)置于所述透明導(dǎo)電層，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層包括層疊設(shè)置的石墨烯層以及ITO透明導(dǎo)電層；所述N型電極包括層疊設(shè)置的N型石墨烯電極和N型金屬電極，所述N型石墨烯電極形成于所述N型層表面，所述N型金屬電極形成于所述N型石墨烯電極表面；所述N型石墨烯電極半徑大于所述N型金屬電極半徑，所述N型石墨烯電極半徑與所述N型金屬電極半徑的差為所述N型金屬電極半徑的0.05-0.2倍；所述P型電極包括層疊設(shè)置的P型石墨烯電極和P型金屬電極，所述P型石墨烯電極形成于所述ITO透明導(dǎo)電層表面，所述P型金屬電極形成于所述P型石墨烯電極表面；所述P型石墨烯電極半徑大于所述P型金屬電極半徑，所述P型石墨烯電極半徑與所述P型金屬電極半徑的差為所述P型金屬電極半徑的0.05-0.2倍；所述P型石墨烯電極在所述ITO透明導(dǎo)電層表面延伸出擴展條。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述石墨烯層形成于所述P型層表面，所述ITO透明導(dǎo)電層形成于所述石墨烯層表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述N型金屬電極和所述N型石墨烯電極均為圓柱形結(jié)構(gòu)，且二者中心軸重合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述P型金屬電極和所述P型石墨烯電極均為圓柱形結(jié)構(gòu)，且二者中心軸重合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，還包括位于N型層表面的N型平臺，所述N型平臺通過刻蝕所述ITO透明導(dǎo)電層至所述N型層形成，所述N型電極設(shè)置在所述N型平臺上。
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