[發(fā)明專利]蝕刻液組合物、配線、顯示裝置用陣列基板及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810001365.4 | 申請日： | 2018-01-02 |
| 公開（公告）號： | CN108265296B | 公開（公告）日： | 2020-05-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李承洙;權(quán)玟廷;沈慶輔 | 申請（專利權(quán)）人： | 東友精細化工有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/20 | 分類號： | C23F1/20;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鮮英;宋海花 |
| 地址： | 韓國全*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 蝕刻 組合 配線 顯示裝置 陣列 及其 制造 方法 | ||
1.一種蝕刻液組合物，相對于蝕刻液組合物總重量，包含：
磷酸40～60重量％；
硝酸5～9重量％；
乙酸15～25重量％；
氯系化合物0.1～2重量％；
磺酸系化合物0.5～3重量％；
硫酸鹽系化合物0.5～3重量％；和
使蝕刻液組合物總重量成為100重量％的余量的水，
所述磺酸系化合物為選自甲烷磺酸和苯磺酸中的一種，
所述蝕刻液組合物用于蝕刻包含由鋁或鋁合金形成的單層膜和透明導(dǎo)電膜的多層膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述氯系化合物包含選自由氯化鈉、氯化鉀和氯化銨組成的組中的一種以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述硫酸鹽系化合物包含選自由硫酸鎂、硫酸銨、硫酸鈉和硫酸鉀組成的組中的一種以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述硫酸鹽系化合物包含硫酸鎂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜包含選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)和氧化銦鎵鋅(IGZO)組成的組中的一種以上。
6.一種配線，其由權(quán)利要求1～5中任一項所述的蝕刻液組合物蝕刻而成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的配線，其特征在于，所述配線為包含由鋁或鋁合金形成的單層膜和透明導(dǎo)電膜的多層膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的配線，其特征在于，所述配線為觸摸屏面板用路徑配線或柔性面板用納米線。
9.一種顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，包括：
(a)在基板上形成柵極配線的步驟；
(b)在包含所述柵極配線的基板上形成柵極絕緣層的步驟；
(c)在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層的步驟；
(d)在所述半導(dǎo)體層上形成源電極和漏電極的步驟；及
(e)形成與所述漏電極連接的像素電極或反射膜的步驟，
所述(a)步驟、(d)步驟及(e)步驟中的任一步驟以上包括利用權(quán)利要求1～5中任一項所述的蝕刻液組合物進行蝕刻而形成各柵極配線、源電極和漏電極、像素電極或反射膜的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置用陣列基板的制造方法，其特征在于，所述顯示裝置用陣列基板為薄膜晶體管基板。
11.一種顯示裝置用陣列基板，其通過權(quán)利要求9所述的顯示裝置用陣列基板的制造方法而制造。
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