[發明專利]離子布植機及離子布植機腔室的制造方法

有效

• 申請號: 201810000743.7
• 申請日: 2018-01-02
• 公開（公告）號: CN109994351B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 林宜靜;陳其賢;吳欣賢;張鈞琳
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01J37/02
• 分類號: H01J37/02;H01J37/317;H01L21/67;H01L31/18;H01L33/00
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

一種離子布植機及離子布植機腔室的制造方法。此離子布植機包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一類金剛石碳層。所述至少一第一腔壁定義出制程空間。第一類金剛石碳層配置于所述至少一第一腔壁上。第一類金剛石碳層包含經修飾的第一表面，經修飾的第一表面面向制程空間。

技術領域

本揭露內容實施例是有關一種離子布植機及離子布植機腔室的制造方法，特別是關于一種具有類金剛石碳層的離子布植機，此類金剛石碳層配置于腔室的內側表面上。

背景技術

離子布植(ion implantation)制程已廣泛地應用于積體電路、發光二極體、及太陽能電池等產業中。離子布植制程可以選擇性地將離子以特定的條件摻雜至工件中的特定區域。一般來說，在進行離子布植制程時，包含一或多種材料會先在離子源中被解離成為等離子，然后離子會自此等離子中持續被引出而形成離子束。離子束會陸續地被過濾、加減速、調整方向、及調整橫截面輪廓，最后被引導至欲摻雜的工件的特定區域。

在離子布植制程中，離子或其他材料可能會沉積在離子布植機的組件或內壁上，形成涂層。這些涂層可能形成制程中的污染來源或產生不預期的導電路徑。雖然在預防性維護(preventive maintenance,PM)過程中能清潔組件或內壁，但某些涂層仍可能殘留在組件或內壁上，而且維護過程也會降低機臺的使用率。因此，需要改善離子或其他材料附著至組件或內壁的情況。

發明內容

根據本揭露內容的多個實施方式，是提供一種離子布植機，此離子布植機包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一類金剛石碳層(Diamond-like carbon,DLC)。所述至少一第一腔壁定義出制程空間。第一類金剛石碳層配置于所述至少一第一腔壁上。第一類金剛石碳層包含經修飾的第一表面，經修飾的第一表面面向制程空間。

根據本揭露內容的多個實施方式，是提供一種離子布植機，此離子布植機包含腔室。腔室包含腔壁及涂層。涂層配置于腔壁的內側表面上，其中涂層暴露的表面的鍵解離能介于400至500kJ/mol。

根據本揭露內容的多個實施方式，是提供一種制造離子布植機的腔室的方法，此方法包含提供腔室，此腔室具有腔壁。之后形成類金剛石碳層于腔壁的內側表面上。再通入前驅氣體于腔室內以進行化學氣相沉積反應，使類金剛石碳層暴露的表面形成C-X鍵結，其中X包含F、H或Si。

為使本揭露內容的上述及其他目的、特征和優點更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合所附附圖詳細說明如下。

附圖說明

圖1為根據某些實施方式的離子布植機的剖面示意圖；

圖2A為根據某些實施方式的圖1中沿A-A”線段的剖面示意圖；

圖2B-圖2C為根據某些實施方式的圖2A中虛線區域M的放大示意圖；

圖2D為根據某些實施方式的圖1中沿A-A”線段的剖面示意圖；

圖3為根據某些實施方式的離子布植機的腔室的制造方法的流程圖。

具體實施方式

以下將詳細討論本實施例的制造與使用，然而，應了解到，本揭露內容提供實務的創新概念，其中可以用廣泛的各種特定內容呈現。下文敘述的實施方式或實施例僅為說明，并不能限制本揭露內容的范圍。

本揭露內容中可使用諸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等的空間相對術語在以便于描述，以描述一個元件或特征與另一或更多個元件或特征的關系，如附圖中所圖示。空間相對術語意欲包含在使用或操作中的裝置除附圖中繪示的定向以外的不同定向。或者，設備可經轉向(旋轉90度或其他方向)，及本案中使用的空間相對描述詞同樣可相應地進行解釋。