[發明專利]離子布植機及離子布植機腔室的制造方法有效
| 申請號： | 201810000743.7 | 申請日： | 2018-01-02 |
| 公開（公告）號： | CN109994351B | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 林宜靜;陳其賢;吳欣賢;張鈞琳 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/02 | 分類號： | H01J37/02;H01J37/317;H01L21/67;H01L31/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 布植機 布植機腔室 制造 方法 | ||
1.一種離子布植機，其特征在于，包含：
一腔室，包含：
至少一第一腔壁，該至少一第一腔壁定義出一制程空間；以及
一第一類金剛石碳層，配置于該至少一第一腔壁上，該第一類金剛石碳層包含經修飾的一第一表面，經修飾的該第一表面面向該制程空間；
其中該第一類金剛石碳層包含一第一硅摻雜類金剛石碳層，且該第一硅摻雜類金剛石碳層的硅含量介于2至10at.％。
2.如權利要求1所述的離子布植機，其特征在于，經修飾的該第一表面包含氟-碳鍵結、或氫-碳鍵結。
3.如權利要求1所述的離子布植機，其特征在于，還包含：
一離子源室，配置于該腔室中，該離子源室包含：
至少一第二腔壁，該至少一第二腔壁定義出一離子源空間；以及
一第二類金剛石碳層，配置于該至少一第二腔壁上，該第二類金剛石碳層包含經修飾的一第二表面，經修飾的該第二表面面向該離子源空間。
4.如權利要求3所述的離子布植機，其特征在于，經修飾的該第二表面包含氟-碳鍵結、或氫-碳鍵結。
5.如權利要求1所述的離子布植機，其特征在于，該至少一第一腔壁包含一石墨材料層或一金屬層，該第一類金剛石碳層接觸該石墨材料層或該金屬層。
6.如權利要求3所述的離子布植機，其特征在于，該第二類金剛石碳層包含一第二硅摻雜類金剛石碳層，其中該第二硅摻雜類金剛石碳層的硅含量介于2至10at.％。
7.一種離子布植機，其特征在于，包含：
一腔室，該腔室包含
一腔壁；以及
一類金剛石碳層，配置于該腔壁的一內側表面上，其中該類金剛石碳層暴露的一表面的一鍵解離能介于400至500kJ/mol；
其中該類金剛石碳層包含一硅摻雜類金剛石碳層，且該硅摻雜類金剛石碳層的硅含量介于2至10at.％。
8.一種制造離子布植機的腔室的方法，其特征在于，該方法包含：
提供一腔室，該腔室具有一腔壁；
形成一類金剛石碳層于該腔壁的一內側表面上，其中該類金剛石碳層包含一硅摻雜類金剛石碳層，且該硅摻雜類金剛石碳層的硅含量介于2至10at.％；以及
通入一前驅氣體于該腔室內以進行一化學氣相沉積反應，使該類金剛石碳層暴露的一表面形成一C-X鍵結，其中X包含F、H或Si。
9.如權利要求8所述的制造離子布植機的腔室的方法，其特征在于，當X包含F時，該前驅氣體包含CF4。
10.如權利要求8所述的制造離子布植機的腔室的方法，其特征在于，當X包含Si時，該前驅氣體包含SiH3CH3。
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