[發明專利]氮化物半導體發光元件有效
| 申請號： | 201780097121.4 | 申請日： | 2017-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN111373552B | 公開（公告）日： | 2023-09-05 |
| 發明（設計）人： | 平野光;長澤陽祐 | 申請（專利權）人： | 日機裝株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/18 | 分類號： | H01L33/18 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 發光 元件 | ||
1.一種氮化物半導體發光元件，其特征在于，具備發光元件結構部和包含藍寶石基板的基底部，該發光元件結構部具有至少包含n型層、活性層及p型層的多個氮化物半導體層，
在所述n型層與所述p型層之間所配置的所述活性層具有量子阱結構，該量子阱結構包含至少1個由GaN系半導體構成的阱層，
所述阱層中，所述n型層側的第1面與所述p型層側的第2面之間的最短距離在相對于所述氮化物半導體層的層疊方向垂直的平面內變動，
從所述發光元件結構部射出的光的峰值發光波長短于354nm，
從所述發光元件結構部射出的光的發光光譜具有將339nm以上且小于343nm的第1峰、343nm以上且小于349nm的第2峰、和349nm以上且353nm以下的第3峰中的至少2個一體化而成的合成峰，
所述藍寶石基板具有相對于(0001)面傾斜規定角度的主面，在該主面的上方形成有所述發光元件結構部，
至少從所述藍寶石基板的所述主面到所述活性層的表面為止的各層為外延成長層，該外延成長層具有形成有多階段狀的平臺的表面。
2.如權利要求1所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，所述合成峰的半峰寬為10nm以下。
3.如權利要求1或2所述的氮化物半導體發光元件，其特征在于，所述發光光譜具有將所述第1峰及所述第2峰一體化而成的所述合成峰，峰值發光波長為343nm以上且小于349nm。
4.一種氮化物半導體發光元件，其特征在于，具備發光元件結構部和包含藍寶石基板的基底部，該發光元件結構部具有至少包含n型層、活性層及p型層的多個氮化物半導體層，
在所述n型層與所述p型層之間所配置的所述活性層具有量子阱結構，該量子阱結構包含至少1個由GaN系半導體構成的阱層，
所述阱層中，所述n型層側的第1面與所述p型層側的第2面之間的最短距離在相對于所述氮化物半導體層的層疊方向垂直的平面內變動，
從所述發光元件結構部射出的光的峰值發光波長短于354nm，
從所述發光元件結構部射出的光的發光光譜具有339nm以上且小于343nm的第1峰、343nm以上且小于349nm的第2峰、和349nm以上且353nm以下的第3峰中的至少2個，
所述藍寶石基板具有相對于(0001)面傾斜規定角度的主面，在該主面的上方形成有所述發光元件結構部，
至少從所述藍寶石基板的所述主面到所述活性層的表面為止的各層為外延成長層，該外延成長層具有形成有多階段狀的平臺的表面。
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