[發明專利]半導體模塊

在審

• 申請號: 201780096913.X
• 申請日: 2017-11-21
• 公開（公告）號: CN111357105A
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 越川康二;奧津文武
• 申請（專利權）人: 超極存儲器股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 袁波;劉繼富

1.一種半導體模塊，具有：

邏輯芯片；

RAM部，其為層疊型RAM模塊；

隔片，其沿所述RAM部的層疊方向重疊配置；

中介層，其電連接于各所述邏輯芯片和所述RAM部；以及，

連接部，其將所述邏輯芯片與所述RAM部之間能夠通信地連接，

所述邏輯芯片和所述隔片在與所述RAM部的層疊方向交叉的方向鄰接配置，

所述RAM部載置于所述中介層，并且一端部與所述邏輯芯片的一端部在層疊方向重疊配置，

所述連接部將所述RAM部的一端部和所述邏輯芯片的一端部能夠通信地連接。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊，其中，

所述RAM部及所述隔片夾著所述邏輯芯片成對設置，

所述連接部針對每個所述RAM部設置。

3.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，

所述隔片的厚度與所述邏輯芯片的厚度大致相等。

4.根據權利要求1或2所述的半導體模塊，其中，

所述隔片的厚度比所述邏輯芯片的厚度厚。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體模塊，其中，

所述隔片的端部中與所述邏輯芯片相向側的相反側的端部配置為，在與所述RAM部的層疊方向交叉的方向上比所述RAM部突出。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體模塊，其中，

還具有多個導電柱，所述導電柱將所述中介層與所述邏輯芯片之間能夠通信地連接，各所述導電柱比所述RAM部的層疊方向的厚度長。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體模塊，其中，

所述邏輯芯片相對于一個所述中介層設置多個，

一對所述RAM部和一對所述隔片針對每個所述邏輯芯片設置。