[發明專利]光學元件的移動裝置、窄帶化激光裝置和電子器件的制造方法

有效

• 申請號: 201780096537.4
• 申請日: 2017-12-07
• 公開（公告）號: CN111566533B
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 渡部義信;嘉藤真英;古里博志
• 申請（專利權）人: 極光先進雷射株式會社
• 主分類號: G02B7/02
• 分類號: G02B7/02;G02B27/09;G02B7/10;G03F7/20;H01S3/02;H01S3/038;H01S3/08;H01S3/106;H01S3/134;H01S3/139;H01S3/225
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于英慧;崔成哲

光學元件的移動裝置具有：第1保持部，其保持第1光學元件；第2保持部，其保持第2光學元件，并具有相對于接近第1保持部的第1方向傾斜的傾斜面；引導部，其能夠與第1方向平行地移動第2保持部；以及彈性部件，其被配置于第1保持部與第2保持部之間的、第1面通過的位置，該第1面與傾斜面垂直地交叉且與第1方向平行。

技術領域

本公開涉及光學元件的移動裝置、窄帶化激光裝置和電子器件的制造方法。

背景技術

隨著半導體集成電路的微細化和高集成化，在半導體曝光裝置中要求分辨率的提高。下面，將半導體曝光裝置簡稱為“曝光裝置”。因此，從曝光用光源輸出的光的短波長化得以發展。在曝光用光源中代替現有的汞燈而使用氣體激光裝置。當前，作為曝光用的氣體激光裝置，使用輸出波長為248nm的紫外線的KrF準分子激光裝置、以及輸出波長為193nm的紫外線的ArF準分子激光裝置。

作為當前的曝光技術，如下的液浸曝光已經實用化：利用液體充滿曝光裝置側的投影透鏡與晶片之間的間隙，通過改變該間隙的折射率，使曝光用光源的外觀的波長變短。在使用ArF準分子激光裝置作為曝光用光源進行液浸曝光的情況下，對晶片照射水中的波長為134nm的紫外光。將該技術稱為ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被稱為ArF液浸光刻。

KrF、ArF準分子激光裝置的自然振蕩中的譜線寬度較寬，大約為350～400pm，因此，通過曝光裝置側的投影透鏡縮小地投影到晶片上的激光(紫外線光)產生色像差，分辨率降低。因此，需要將從氣體激光裝置輸出的激光的譜線寬度窄帶化到能夠無視色像差的程度。譜線寬度也被稱為譜寬度。因此，在氣體激光裝置的激光諧振器內設置具有窄帶化元件的窄帶化模塊(Line?Narrow?Module)，通過該窄帶化模塊實現譜寬度的窄帶化。另外，窄帶化元件也可以是標準具或光柵等。將這種譜寬度被窄帶化的激光裝置稱為窄帶化激光裝置。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2017/026000號公報

發明內容

本公開的1個觀點的光學元件的移動裝置具有：第1保持部，其保持第1光學元件；第2保持部，其保持第2光學元件，并具有相對于接近第1保持部的第1方向傾斜的傾斜面；引導部，其能夠與第1方向平行地移動第2保持部；以及彈性部件，其被配置于第1保持部與第2保持部之間的、第1面通過的位置，該第1面與傾斜面垂直地交叉且與第1方向平行。

本公開的1個觀點的窄帶化激光裝置具有：激光諧振器；腔，其被配置于激光諧振器，并收容激光氣體；一對電極，其被配置于腔；波長選擇元件，其被配置于激光諧振器；以及譜寬度可變部，其被配置于激光諧振器。譜寬度可變部具有：第1光學元件；第1保持部，其保持第1光學元件；第2光學元件；第2保持部，其保持第2光學元件，并具有相對于接近第1保持部的第1方向傾斜的傾斜面；引導部，其能夠與第1方向平行地移動第2保持部；以及彈性部件，其被配置于第1保持部與第2保持部之間的、第1面通過的位置，該第1面與傾斜面垂直地交叉且與第1方向平行。

本公開的1個觀點的電子器件的制造方法包含以下步驟：通過窄帶化激光裝置生成激光；將激光輸出到曝光裝置；以及在曝光裝置內在感光基板上曝光激光，以制造電子器件。窄帶化激光裝置具有：激光諧振器；腔，其被配置于激光諧振器，并收容激光氣體；一對電極，其被配置于腔；波長選擇元件，其被配置于激光諧振器；以及譜寬度可變部，其被配置于激光諧振器。譜寬度可變部具有：第1光學元件；第1保持部，其保持第1光學元件；第2光學元件；第2保持部，其保持第2光學元件，并具有相對于接近第1保持部的第1方向傾斜的傾斜面；引導部，其能夠與第1方向平行地移動第2保持部；以及彈性部件，其被配置于第1保持部與第2保持部之間的、第1面通過的位置，該第1面與傾斜面垂直地交叉且與第1方向平行。

附圖說明

下面，參照附圖將本公開的若干個實施方式作為簡單例子進行說明。