[發明專利]流體芯片

有效

• 申請號: 201780096048.9
• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN111212737B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: J.盧姆;J.塞爾斯;S-L.蔡
• 申請（專利權）人: 惠普發展公司;有限責任合伙企業
• 主分類號: B41J2/14
• 分類號: B41J2/14;B41J2/175
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李晨;王麗輝

1.一種流體芯片，包括：

流體通道層，所述流體通道層在其中限定若干個流體通道；

至少一個通道間通路，所述至少一個通道間通路限定在將所述若干個流體通道中的兩個相鄰的流體通道分開的肋中，所述通道間通路流體地聯接到兩個相鄰的流體通道；

縫槽層，所述縫槽層布置在所述流體通道層的一側上；以及

第一流體縫槽和第二流體縫槽，所述第一流體縫槽和第二流體縫槽限定在所述縫槽層中，

其中，所述流體通道中的至少一個將所述第一流體縫槽流體地聯接到所述第二流體縫槽，并且

其中，所述第一流體縫槽和所述第二流體縫槽沿著所述流體芯片的長度限定在所述縫槽層中。

2.如權利要求1所述的流體芯片，包括

流體噴射層，所述流體噴射層經由限定在所述流體噴射層內的若干個流體供給孔流體地聯接到所述流體通道，所述流體噴射層包括：

設置在若干個流體噴射腔室中的若干個流體噴射致動器；以及

與所述若干個流體噴射腔室對應的若干個噴嘴。

3.如權利要求2所述的流體芯片，其中，基于所述流體噴射層內的所述流體噴射致動器的布置，所述流體通道被限定在所述流體通道層內。

4.如權利要求1所述的流體芯片，包括：

絕緣體上硅層，所述絕緣體上硅層設置在所述流體通道層和所述縫槽層之間；以及

第一絕緣體上硅孔口和第二絕緣體上硅孔口，所述第一絕緣體上硅孔口和所述第二絕緣體上硅孔口限定在所述絕緣體上硅層中，所述第一和第二絕緣體上硅層將所述第一流體縫槽和第二流體縫槽流體地聯接到所述流體通道中的至少一個。

5.如權利要求1所述的流體芯片，其中，限定在所述流體通道層中的所述流體通道在所述流體通道之間形成若干個肋。

6.如權利要求2所述的流體芯片，包括微流體泵，所述微流體泵設置在所述通道間通路內，所述通道間通路將流體噴射腔室流體地聯接到兩個相鄰的流體通道，其中，所述微流體泵將流體從第一流體通道泵送通過所述通道間通路，經過設置在所述流體噴射腔室的一個中的所述流體噴射致動器中的一個，并且進入與所述第一流體通道相鄰的第二流體通道中。

7.如權利要求1所述的流體芯片，包括：

其中，第一流體通道將所述第一流體縫槽流體地聯接到所述第二流體縫槽，并且兩個相鄰的流體通道被流體地聯接到所述第一流體縫槽而不是所述第二流體縫槽，所述流體芯片還包括：

若干個通道間通路，所述若干個通道間通路限定在將所述若干個流體通道中的每個流體通道分開的若干個肋中，所述通道間通路將流體噴射腔室流體地聯接到相鄰的流體通道；

其中，從所述第一流體縫槽流入所述兩個相鄰的流體縫槽中的流體通過所述通道間通路流入所述第一流體通道中。

8.一種用于使流體在流體芯片內再循環的系統，包括：

流體貯器；

流體通道層，所述流體通道層在其中限定若干個流體通道，所述流體通道層流體地聯接到所述流體貯器；

至少一個通道間通路，所述至少一個通道間通路限定在將所述若干個流體通道中的兩個相鄰的流體通道分開的肋中，所述通道間通路流體地聯接到兩個相鄰的流體通道；

縫槽層，所述縫槽層設置在所述流體通道層的流體地鄰近所述流體貯器的一側上；以及

第一流體縫槽和第二流體縫槽，所述第一流體縫槽和第二流體縫槽限定在所述縫槽層中，

其中，所述流體通道中的至少一個將所述第一流體縫槽流體地聯接到所述第二流體縫槽，并且

其中，所述第一流體縫槽和所述第二流體縫槽沿著所述流體芯片的長度限定在所述縫槽層中。