[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的鰭片中的蝕刻停止區(qū)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780095309.5
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN111149211A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C-Y.黃;W.拉赫馬迪;G.德韋;E.J.湯普森;A.D.利拉克;J.T.卡瓦列羅斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/66;H01L21/768;H01L21/762
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫鵬;申屠偉進(jìn)

所公開的是半導(dǎo)體器件的鰭片中的蝕刻停止區(qū)以及有關(guān)的方法。一種半導(dǎo)體器件包括所埋入的區(qū)、所埋入的區(qū)上的鰭片以及至少部分地圍繞鰭片所形成的柵極。與所埋入的區(qū)鄰接的所述鰭片的至少一部分包括蝕刻停止材料。所述蝕刻停止材料包括經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體材料，所述經(jīng)摻雜的半導(dǎo)體材料具有比本征形式的半導(dǎo)體材料的蝕刻速率更緩慢的蝕刻速率。一種制造半導(dǎo)體器件的方法包括：在鰭片上形成柵極，利用被配置成減小所述鰭片的部分的蝕刻速率的摻雜劑來注入所述鰭片的部分，移除所述鰭片的至少部分，以及在所述鰭片的其余鄰近部分上形成外延半導(dǎo)體材料。

背景技術(shù)

對于縮減通過使用半導(dǎo)體晶圓所形成的電子器件的尺寸的需求已經(jīng)驅(qū)動(dòng)了鰭式場效應(yīng)晶體管（finFET）的開發(fā)和增生，與平面晶體管相比，所述鰭式場效應(yīng)晶體管（finFET）減少從晶體管的縮放中產(chǎn)生的短溝道效應(yīng)問題。

附圖說明

圖1是畸形的finFET的簡化截面視圖。

圖2是另一畸形的finFET的簡化截面視圖。

圖3是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的簡化截面視圖。

圖4是簡化流程圖，其圖示了根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的方法。

圖5A-5J是簡化的截面視圖，其圖示了圖4的方法的方法動(dòng)作。

圖6圖示了包括本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的插入件。

圖7圖示了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的計(jì)算設(shè)備。

具體實(shí)施方式

本文中所述的是用于在半導(dǎo)體器件中鰭片的部分的移除期間防止暴露所埋入的區(qū)的蝕刻停止區(qū)，以及有關(guān)的集成電路器件、計(jì)算設(shè)備和方法。在以下描述中，將通過使用由本領(lǐng)域技術(shù)人員通常采用來將其工作的實(shí)質(zhì)傳達(dá)給本領(lǐng)域中其他技術(shù)人員的術(shù)語來描述說明性實(shí)現(xiàn)方式的各種方面。然而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是，可以在具有所述方面中僅僅一些的情況下實(shí)踐本公開。為了解釋的目的，特定的數(shù)目、材料和配置被闡明以便提供對說明性實(shí)現(xiàn)方式的透徹理解。然而，對本領(lǐng)域技術(shù)人員將顯而易見的是，可以在沒有特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本公開。在其它實(shí)例中，眾所周知的特征被省略或簡化以便不使說明性實(shí)現(xiàn)方式含糊難懂。

各種操作將繼而用對理解本公開最有幫助的方式被描述為多個(gè)分立的操作。然而，描述的次序不應(yīng)當(dāng)被解釋為暗示這些操作必定是次序相關(guān)的。特別地，不需要以呈現(xiàn)的次序來執(zhí)行這些操作。

如本文中所使用的，術(shù)語“包括”、“包括著”、“所包括”和“包括了”意指與術(shù)語“包括有”、“包括有著”、“所包括有”和“包括有了”相同的事物，并且與其可互換地使用。

如本文中所使用的術(shù)語“之上”、“之下”、“之間”和“其上”指的是一種材料（例如區(qū)、結(jié)構(gòu)、層等等）或部件相對于其它材料（例如區(qū)、結(jié)構(gòu)、層等等）或部件的相對位置。例如，被設(shè)置在另一材料之上、其上或之下的一種材料可以直接接觸所述其它材料，或可以在中間具有一種或多種居間材料。此外，被設(shè)置在兩種材料之間的一種材料可以直接接觸所述兩種材料，或可以具有一種或多種居間材料。除非另行明確聲明，否則被設(shè)置在兩個(gè)特征之間的一個(gè)特征可以直接接觸相鄰的特征，或可以具有一個(gè)或多個(gè)居間層。另外，雖然術(shù)語“之上”、“之下”和“其上”可暗示結(jié)構(gòu)的垂直定向，但是在本公開的范圍內(nèi)設(shè)想的是：在不偏離本公開的范圍的情況下，通過使用這些術(shù)語所討論的相同結(jié)構(gòu)可以水平地、以某個(gè)非垂直且非水平的角度或在各種其它非線性的定向中被定向。