[發明專利]半導體器件的鰭片中的蝕刻停止區

在審

• 申請號: 201780095309.5
• 申請日: 2017-12-27
• 公開（公告）號: CN111149211A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: C-Y.黃;W.拉赫馬迪;G.德韋;E.J.湯普森;A.D.利拉克;J.T.卡瓦列羅斯
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/66;H01L21/768;H01L21/762
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫鵬;申屠偉進

1.一種半導體器件，包括：

所埋入的區，其包括氧化物材料；

在所埋入的區上的鰭片，鄰接所埋入的區的所述鰭片的至少一部分包括蝕刻停止材料，所述蝕刻停止材料包括經摻雜的半導體材料，所述經摻雜的半導體材料具有比本征形式的經摻雜的半導體材料的蝕刻速率更緩慢的蝕刻速率；以及

至少部分地圍繞鰭片所形成的柵極，所述柵極包括導電材料。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述蝕刻停止材料的經摻雜的半導體材料包括p型摻雜的半導體材料。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中所述p型摻雜的半導體材料包括摻雜了硼的硅。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述經摻雜的半導體材料包括摻雜了碳的硅。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述經摻雜的半導體材料包括：從包括磷、砷和銻的列表中所選擇的至少一種n型摻雜的半導體材料。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的半導體器件，其中圍繞其形成柵極的鰭片的一部分包括本征形式的半導體材料。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的半導體器件，其中所述鰭片此外包括在蝕刻停止材料上所形成的經摻雜的外延半導體材料。

8.根據權利要求1-3中任一項所述的半導體器件，其中所述鰭片此外包括在所述蝕刻停止材料上外延地形成的硅和鍺，所述硅和鍺摻雜有從包括硼、鋁、鎵和銦的組中所選的p型摻雜劑。

9.根據權利要求1、4和5中任一項所述的半導體器件，其中所述鰭片此外包括在所述蝕刻停止材料上外延地形成的硅，所述硅摻雜有從包括磷、砷、銻和碲的組中所選的至少一種n型摻雜劑。

10.根據權利要求1-5中任一項所述的半導體器件，其中所埋入的區包括絕緣體上硅（SOI）襯底的所埋入的氧化物（BOX）。

11.一種集成電路，包括：

絕緣體上硅（SOI）襯底，其包括所埋入的氧化物（BOX）；

在所述BOX上的一個或多個源極或漏極區，所述一個或多個源極或漏極區中的單獨一些包括：

沿著所述BOX的蝕刻停止材料，所述蝕刻停止材料包括來自SOI襯底的硅以及摻雜劑，所述摻雜劑將蝕刻停止材料的蝕刻速率減小至小于本征硅的蝕刻速率；以及

在所述蝕刻停止材料上外延地形成的半導體材料。

12.根據權利要求11所述的集成電路，其中所述摻雜劑包括p型摻雜劑。

13.根據權利要求12所述的集成電路，其中所述摻雜劑包括硼。

14.根據權利要求11所述的集成電路，其中所述摻雜劑包括n型摻雜劑。

15.根據權利要求14所述的集成電路，其中所述摻雜劑包括碳。

16.根據權利要求11-13中任一項所述的集成電路，其中所述蝕刻停止材料上的半導體材料包括硅和鍺，其被摻雜有從包括硼、鋁、鎵和銦的組中所選的至少一種p型摻雜劑。

17.根據權利要求11、14和15中任一項所述的集成電路，其中所述蝕刻停止材料上的半導體材料包括硅，所述硅摻雜有從包括磷、砷、銻和碲的組中所選的至少一種n型摻雜劑。