[發明專利]用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法及處理系統

在審

• 申請號: 201780095089.6
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN111148859A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 羅蘭特·拉斯爾;托爾斯滕·布魯諾·迪特爾;托馬斯·德皮希
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/06;C23C14/00;C23C14/26;C23C14/56;C23C14/54;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/54;C23C16/52;H01M2/14
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

一種用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法，包括提供具有前側及背側的基板，基板涂布有陶瓷層于前側及背側的至少一個上；使陶瓷層的至少第一位置L1經歷離子化輻射；檢測回應于離子化輻射在陶瓷層的此至少第一位置L1釋放的射出物；及基于檢測的射出物，評估于此至少第一位置L1的陶瓷層的厚度。一種用以控制基板上的陶瓷層的厚度的處理系統，包括至少一個輻射單元，裝配以朝向陶瓷層的至少第一位置L1射出離子化輻射；至少第一傳感器，布置在此至少一個輻射單元中的第一位置S1，此至少第一傳感器裝配以檢測回應于離子化輻射在陶瓷層的此至少第一位置L1釋放的射出物；及至少一個控制器，裝配以基于檢測的射出物，評估至少在第一位置L1的陶瓷層的厚度。

技術領域

本公開的數個實施方式是有關于一種用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法及處理系統。本公開的數個實施方式更特別有關于一種離子化輻射方法及離子化輻射系統，用以控制沉積于基板上的陶瓷層的厚度。本公開的數個實施方式特別是有關于一種方法及一種處理系統，用以制造例如是數個電池、數個燃料電池及數個蓄電池(accumulator)的數個電化學能儲存裝置的部件，更特別是選自由隔離件(separator)、電解質、陰極及陽極所組成的群組的至少一個部件。

背景技術

用以沉積在基板上的陶瓷層的技術包括舉例為印刷沉積、濺射沉積、熱蒸發及化學氣相沉積。可使用濺射沉積工藝以沉積材料層于基板上，例如是導電材料或絕緣材料層。陶瓷涂布的材料可用于數種應用中及數種技術領域中。舉例來說，一種應用是在電化學能儲存器的領域中，例如是電池、燃料電池裝置及蓄電池。此外，用于隔離件的基板時常通過物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)或化學氣相沉積(chemical vapordeposition，CVD)陶瓷涂布，物理氣相沉積舉例為濺射沉積工藝。再者，數種應用包括陰極、陽極、電解質及類似物。

基板上的陶瓷層的厚度可亦理解為基板上的陶瓷層的均勻性。厚度往往可能在基板的長度上變化。此厚度變化可能容易受到不同的參數影響，例如是沉積率、從一個模塊至另一模塊導引基板的速度、反應氣體的氣流的總量及/或定向，或施加的蒸發及/或等離子體功率或類似物。

為了控制沉積于基板上的陶瓷層的均勻性，可應用數種一般技術，例如是紫外線技術、感應電流技術或光學技術。這些技術決定于基板及陶瓷層的本質(nature)及/或性質，及可能無法一概而論。舉例來說，這些技術可能無法適用于涂布有高度透明的陶瓷層的非透明及/或非反射的基板。

有鑒于上述，克服在此技術領域中至少一些問題的數種方法及數種系統是有利的。本公開特別是著重于提供用以控制基板上的陶瓷層的厚度的數種方法及數種系統，特別是提供用以制造光化學裝置的至少一個部件的數種真空處理系統及數種真空處理方法，而克服此技術領域中至少一些問題。

發明內容

有鑒于上述，提出一種用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法及處理系統。再者，提出一種用以制造電化學裝置的部件的真空處理系統及真空處理方法。本公開的其他方面、優點及特征通過權利要求書、說明及附圖更為清楚。

根據本公開的一方面，提出一種用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法。此方法包括提供基板，基板具有前側及背側。此外，基板涂布有陶瓷層于前側及背側的至少一個上。此方法更包括使陶瓷層的至少第一位置L1經歷離子化輻射。此外，此方法包括檢測回應于離子化輻射在陶瓷層的此至少第一位置L1釋放的射出物。此方法更包括基于檢測的射出物，評估在此至少第一位置L1的陶瓷層的厚度。

根據本公開的其他方面，此方法包括使陶瓷層的至少第二位置L2經歷離子化輻射。此外，此至少第二位置L2不同于此至少第一位置L1。再者，此方法包括檢測回應于離子化輻射在陶瓷層的此至少第二位置L2釋放的射出物。此方法更包括基于檢測的射出物，評估在此至少第二位置L2的陶瓷層的厚度。