[發(fā)明專利]用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法及處理系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780095089.6
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN111148859A
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅蘭特·拉斯爾;托爾斯滕·布魯諾·迪特爾;托馬斯·德皮希
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/06;C23C14/00;C23C14/26;C23C14/56;C23C14/54;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/54;C23C16/52;H01M2/14
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法(100，200)，包括：

提供(101)基板，所述基板具有前側(cè)及背側(cè)，所述基板涂布有所述陶瓷層于所述前側(cè)及所述背側(cè)的至少一個上；

使所述陶瓷層的至少第一位置(L1)經(jīng)歷(102)離子化輻射；

檢測(103)回應(yīng)于所述離子化輻射在所述陶瓷層的所述至少第一位置(L1)釋放的射出物；以及

基于檢測的所述射出物，評估(104)在所述至少第一位置(L1)的所述陶瓷層的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法(200)，所述方法包括：

使所述陶瓷層的至少第二位置(L2)經(jīng)歷(201)離子化輻射，所述至少第二位置(L2)不同于所述至少第一位置(L1)；

檢測(202)回應(yīng)于所述離子化輻射在所述陶瓷層的所述至少第二位置(L2)釋放的射出物；以及

評估(203)在所述至少第二位置(L2)的所述陶瓷層的厚度。

3.如權(quán)利要求2所述的用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法(200)，所述方法更包括：

比較(204)在所述至少第一位置(L1)的厚度及在所述至少第二位置(L2)的厚度；以及

調(diào)整(205)在所述至少第一位置(L1)的所述陶瓷層的厚度成為在所述至少第二位置(L2)的所述陶瓷層的厚度。

4.如權(quán)利要求3所述的用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法(100)，所述方法更包括調(diào)整一區(qū)中的所述陶瓷層的厚度，所述區(qū)中的所述陶瓷層的厚度對應(yīng)于在所述至少第一位置(L1)的所述陶瓷層的厚度及在所述至少第二位置(L2)的所述陶瓷層的厚度的至少一個。

5.如權(quán)利要求1-4的任一項所述的用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法(100，200)，提供基板包括：

提供基板，所述基板具有前側(cè)及背側(cè)；以及

形成陶瓷層于所述基板上。

6.如權(quán)利要求1-5的任一項所述的用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法(100)，其中所述陶瓷層通過反應(yīng)蒸發(fā)形成。

7.如權(quán)利要求1-6的任一項所述的用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法(200)，其中所述陶瓷層由至少第一形成位置(F1)及第二形成位置(F2)形成，所述第一形成位置(F1)對應(yīng)于所述陶瓷層的所述至少第一位置(L1)及所述第二形成位置(F2)對應(yīng)于所述陶瓷層的所述至少第二位置(L2)。

8.如權(quán)利要求1-7的任一項所述的用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法(100，200)，其中所述陶瓷層為選自下述化學式的陶瓷成分中的一個：

A_xB_y

其中A選自由過渡金屬、后過渡金屬及類金屬所組成的群組；

其中B選自氧化物、氮化物及碳化物的群組；及

x為A的化學計量數(shù)及y為B的化學計量數(shù)。

9.如權(quán)利要求8所述的用以控制基板上的陶瓷層的厚度的方法(100，200)，其中所述離子化輻射裝配以離子化A及B中的至少一個。

10.一種用以控制基板上的陶瓷層的厚度的處理系統(tǒng)(318)，包括：

至少一個輻射單元(401)，裝配以朝向所述陶瓷層的至少第一位置(L1)射出離子化輻射；

至少第一傳感器(402)，布置在所述至少一個輻射單元(401)中的第一位置(S1)；所述至少第一傳感器(402)裝配以檢測回應(yīng)于所述離子化輻射在所述陶瓷層的所述至少第一位置(L1)釋放的射出物；以及

至少一個控制器(403)，裝配以基于檢測的所述射出物，評估在所述至少第一位置(L1)的所述陶瓷層的厚度。