[發(fā)明專利]真空蒸發(fā)源

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780094759.2
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN111051564A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發(fā)明（設計）人: 黃道元
• 申請（專利權(quán)）人: 艾爾法普拉斯株式會社
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26;C23C14/24
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;洪欣

本發(fā)明的目的是提供能夠改善加熱線的平直度的真空蒸發(fā)源。為此，本發(fā)明的方面提供了包括坩堝的真空蒸發(fā)源，所述真空蒸發(fā)源包括用于加熱所述坩堝的第一加熱線和用于固定所述第一加熱線的上部部分的第一上部固定部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于在晶片或襯底上形成薄膜的真空蒸發(fā)源。

背景技術(shù)

通常，真空蒸發(fā)源加熱并且蒸發(fā)用于形成薄膜的材料，以在設置在高真空室中的襯底上形成預定的薄膜。它用于在半導體制造工藝中在晶片表面上形成由特定材料制成的薄膜，或者在大型平板顯示裝置的制造工藝中在玻璃襯底等的表面上形成期望材料的薄膜。

圖1是示意性地示出常規(guī)真空蒸發(fā)源的視圖。

如圖1所示，常規(guī)真空蒸發(fā)源包括具有內(nèi)部空間11的殼體10、設置在內(nèi)部空間11中并且容納用于形成薄膜的材料的坩堝20、定位于內(nèi)部空間11的側(cè)面與坩堝20的外側(cè)之間以加熱坩堝20的加熱線30、以及支撐加熱線30的底部的支撐件40。

然而，常規(guī)真空蒸發(fā)源的問題在于，由于支撐件40支撐加熱線30的底部，加熱線30由于重力而彎曲。特別地，當加熱線30的熱膨脹和熱收縮進行很多次時，加熱線30的熱膨脹在向上的方向上重復，并且加熱線30在重力的影響下連續(xù)彎曲，從而最終降低加熱線30的平直度。

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

本發(fā)明的目的是提供能夠改善加熱線的平直度的真空蒸發(fā)源。

問題的解決方案

本發(fā)明的方面提供了包括坩堝的真空蒸發(fā)源，所述真空蒸發(fā)源包括用于加熱所述坩堝的第一加熱線和用于固定所述第一加熱線的上部部分的第一上部固定部分。

第一加熱線可以包括以向上凸的形狀彎曲的第一向上彎曲部分。第一向上固定部分可以包括用于支撐第一向上彎曲部分的下部部分的彎曲的下部固定構(gòu)件，以及用于支撐第一向上彎曲部分的上部部分的彎曲的上部固定構(gòu)件。

第一加熱線還可以包括與第一向上彎曲部分間隔的以向上凸的形狀彎曲的第二向上彎曲部分，彎曲的下部固定構(gòu)件可以具有圍繞坩堝的環(huán)形，以將第一向上彎曲部分和第二向上彎曲部分的每一個下部部分支撐在一起。彎曲的上部固定構(gòu)件可以具有圍繞坩堝的環(huán)形，以將第一向上彎曲部分和第二向上彎曲部分的每一個上部部分支撐在一起。

根據(jù)以上描述的本發(fā)明的實施方案的真空蒸發(fā)源還可以包括具有容納坩堝的內(nèi)部空間的殼體，以及設置在內(nèi)部空間的側(cè)面與第一加熱線之間的反射板，其中彎曲的下部固定構(gòu)件和彎曲的上部固定構(gòu)件中的每一個均可以被反射板支撐。

第一加熱線可以包括分別在第一向上彎曲部分的兩個側(cè)面上在向下方向上延伸的第一向下直的部分和第二向下直的部分，其中第一向下直的部分和第二向下直的部分可以穿透彎曲的下部固定構(gòu)件。

彎曲的下部固定構(gòu)件和彎曲的上部固定構(gòu)件中的每一個均可以由絕緣材料制成。

根據(jù)以上描述的本發(fā)明的實施方案的真空蒸發(fā)源還可以包括用于加熱坩堝的第二加熱線，以及用于固定第二加熱線的上部部分的第二上部固定部分，其中第一加熱線可以定位成與坩堝的上半部分相對應，并且第二加熱線可以定位成與坩堝的下半部分相對應。

有益效果

如以上描述，根據(jù)本發(fā)明的實施方案的真空蒸發(fā)源可以具有以下效果。

根據(jù)本發(fā)明的實施方案，其提供了包括第一加熱線和第一上部固定部分的技術(shù)配置。因此，由于第一加熱線通過第一上部固定部分懸掛在向下的方向上，因此可以通過重力的影響來改善第一加熱線的平直度。特別地，第一加熱線具有懸掛形狀，同時被第一上部固定部分阻止向上熱膨脹。因此，當?shù)谝患訜峋€的熱膨脹和熱收縮進行很多次時，僅在向下的方向(其為重力的方向)上發(fā)生變形，使得可以通過重力的影響進一步改善第一加熱線的平直度。