[發(fā)明專利]相位調(diào)制器及其制作方法、硅基電光調(diào)制器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780094544.0
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN111051969B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王志仁;周林杰;周硯揚;劉磊
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/025
• 分類號: G02F1/025
• 代理公司: 深圳市深佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285
• 代理人: 夏歡

一種相位調(diào)制器及其制作方法以及一種硅基電光調(diào)制器，該相位調(diào)制器通過將P型摻雜區(qū)(2)劃分成第一P型摻雜區(qū)(21)和第二P型摻雜區(qū)(22)兩部分，將N型摻雜區(qū)(3)劃分成第一N型摻雜區(qū)(31)和第二N型摻雜區(qū)(32)兩部分，其中，第二P型摻雜區(qū)(22)的摻雜濃度小于第一P型摻雜區(qū)(21)的摻雜濃度，第二N型摻雜區(qū)(32)的摻雜濃度小于第一N型摻雜區(qū)(31)的摻雜濃度，從而利用第一P型摻雜區(qū)(21)和第一N型摻雜區(qū)(31)的重?fù)诫s濃度實現(xiàn)相位調(diào)制器與驅(qū)動電路的良好電接觸，并利用第二P型摻雜區(qū)(22)來降低P型摻雜區(qū)(2)靠近PN結(jié)結(jié)構(gòu)(1)一側(cè)的摻雜濃度，利用第二N型摻雜區(qū)(32)來降低N型摻雜區(qū)(3)靠近PN結(jié)結(jié)構(gòu)(1)一側(cè)的摻雜濃度，降低相位調(diào)制器的光傳輸損耗，進(jìn)而降低硅基電光調(diào)制器的光傳輸損耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及光信號調(diào)制技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種相位調(diào)制器及其制作方法以及一種硅基電光調(diào)制器。

背景技術(shù)

近些年來，隨著信息技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對于開發(fā)出具有超高速傳輸能力骨干網(wǎng)的需求越來越大，而大帶寬超高速光調(diào)制器是實現(xiàn)高速傳輸能力的關(guān)鍵器件。硅基電光調(diào)制器由于具有集成度高、成本低且與傳統(tǒng)的CMOS工藝兼容等特點，受到越來越多的關(guān)注。但是，現(xiàn)有硅基電光調(diào)制器的傳輸損耗較大。

發(fā)明內(nèi)容

第一方面，本申請實施例提供了一種相位調(diào)制器，包括：

PN結(jié)結(jié)構(gòu)，所述PN結(jié)結(jié)構(gòu)包括相對設(shè)置的P區(qū)和N區(qū)以及位于所述P區(qū)和所述N區(qū)之間的PN結(jié)；

與所述P區(qū)電連接的P型摻雜區(qū)，所述P型摻雜區(qū)包括第一P型摻雜區(qū)和第二P型摻雜區(qū)，其中，所述第二P型摻雜區(qū)位于所述P區(qū)與所述第一P型摻雜區(qū)之間，且所述第一P型摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第二P型摻雜區(qū)的摻雜濃度，從而利用所述第一P型摻雜區(qū)的重?fù)诫s濃度實現(xiàn)所述相位調(diào)制器與驅(qū)動電路的良好電接觸，并利用所述第二P型摻雜區(qū)來降低所述P型摻雜區(qū)靠近所述PN結(jié)結(jié)構(gòu)一側(cè)的摻雜濃度，降低所述相位調(diào)制器的光傳輸損耗，進(jìn)而降低所述硅基電光調(diào)制器的光傳輸損耗；

與所述N區(qū)電連接的N型摻雜區(qū)，所述N型摻雜區(qū)包括第一N型摻雜區(qū)和第二N型摻雜區(qū)，其中，所述第二N型摻雜區(qū)位于所述第一N型摻雜區(qū)與所述N區(qū)之間，且所述第一N型摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第二N型摻雜區(qū)的摻雜濃度，從而利用所述第一N型摻雜區(qū)的重?fù)诫s濃度實現(xiàn)所述相位調(diào)制器與驅(qū)動電路的良好電接觸，并利用所述第二N型摻雜區(qū)來降低所述N型摻雜區(qū)靠近所述PN結(jié)結(jié)構(gòu)一側(cè)的摻雜濃度，降低所述相位調(diào)制器的光傳輸損耗，進(jìn)而降低所述硅基電光調(diào)制器的光傳輸損耗。

在一種實現(xiàn)方式中，所述第二P型摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述P區(qū)的摻雜濃度；所述第二N型摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述N區(qū)的摻雜濃度。

在一種實現(xiàn)方式中，在平行于所述第一P型摻雜區(qū)至所述P區(qū)的方向上，所述第二P型摻雜區(qū)的摻雜濃度逐漸降低，以減小所述相位調(diào)制器中因載流子吸收效應(yīng)帶來的光傳輸損耗。

在一種實現(xiàn)方式中，在平行于所述第一N型摻雜區(qū)至所述N區(qū)的方向上，所述第二N型摻雜區(qū)的摻雜濃度逐漸降低，以減小所述相位調(diào)制器中因載流子吸收效應(yīng)帶來的光傳輸損耗。

在一種實現(xiàn)方式中，所述第一P型摻雜區(qū)的摻雜濃度位于1*10²⁰數(shù)量級，以保證所述第一P型摻雜區(qū)與外加驅(qū)動電路的良好電接觸；所述第一N型摻雜區(qū)的摻雜濃度位于1*10²⁰數(shù)量級，以保證所述第一N型摻雜區(qū)和驅(qū)動電路的良好電接觸。

在一種實現(xiàn)方式中，所述P區(qū)的摻雜濃度位于1*10¹⁷-1*10¹⁸的數(shù)量級，所述N區(qū)的摻雜濃度位于1*10¹⁷-1*10¹⁸的數(shù)量級，以在保證所述相位調(diào)制器調(diào)制效率的情況下，降低所述相位調(diào)制器的光傳輸損耗。

第二方面，本申請實施例提供了一種包括上述任一項所述的相位調(diào)制器的硅基電光調(diào)制器。