[發(fā)明專利]相位調制器及其制作方法、硅基電光調制器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780094544.0 | 申請日： | 2017-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN111051969B | 公開（公告）日： | 2021-10-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王志仁;周林杰;周硯揚;劉磊 | 申請（專利權）人： | 華為技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/025 | 分類號： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 夏歡 |
| 地址： | 518129 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相位 調制器 及其 制作方法 電光 | ||
1.一種相位調制器的制作方法，其特征在于，包括：
提供硅晶圓，所述硅晶圓包括硅基底、位于所述硅基底表面的隔離層以及位于所述隔離層背離所述硅基底一側的平坦層；
去除部分所述平坦層，形成凸起結構，所述凸起結構包括第一表面和位于所述第一表面兩側的第二表面和第三表面，所述第一表面高于所述第二表面和所述第三表面；
在所述第一表面內形成PN結結構，所述PN結結構包括相對設置的P區(qū)和N區(qū)以及位于所述P區(qū)和所述N區(qū)之間的PN結；
在所述第二表面內形成第一P型摻雜區(qū)，所述第一P型摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述P區(qū)的摻雜濃度；
在所述第三表面內形成第一N型摻雜區(qū)，所述第一N型摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述N區(qū)的摻雜濃度；
通過側墻結構在所述第二表面內形成第二P型摻雜區(qū)，并在所述第三表面內形成第二N型摻雜區(qū)，其中，所述側墻結構包括第一側墻結構和第二側墻結構；沿平行于所述第一P型摻雜區(qū)至所述P區(qū)的方向上，所述第一側墻結構的厚度逐漸增加，沿平行于所述第一N型摻雜區(qū)至所述N區(qū)的方向上，所述第二側墻結構的厚度逐漸增加，所述第二P型摻雜區(qū)位于所述第一P型摻雜區(qū)和所述P區(qū)之間，且所述第二P型摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第一P型摻雜區(qū)的摻雜濃度；所述第二N型摻雜區(qū)位于所述第一N型摻雜區(qū)和所述N區(qū)之間，且所述第二N型摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第一N型摻雜區(qū)的摻雜濃度。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在平行于所述第一P型摻雜區(qū)至所述P區(qū)的方向上，所述第二P型摻雜區(qū)的摻雜濃度逐漸降低；在平行于所述第一N型摻雜區(qū)至所述N區(qū)的方向上，所述第二N型摻雜區(qū)的摻雜濃度逐漸降低。
3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述通過側墻結構在所述第二表面內形成第二P型摻雜區(qū)，并在所述第三表面內形成第二N型摻雜區(qū)包括：
在所述凸起結構的第一表面形成第一掩膜層；
在所述凸起結構朝向所述第二表面和所述第三表面的一側形成側墻結構，所述側墻結構在所述平坦層上的投影與所述第一P型摻雜區(qū)不交疊，且與所述第一N型摻雜區(qū)不交疊；
在所述側墻結構背離所述平坦層的一側形成第二掩膜層，所述第二掩膜層覆蓋所述第三表面、所述第一表面和所述第一P型摻雜區(qū)，曝露所述側墻結構位于所述第二表面的部分；
以所述第二掩膜層為掩膜，在所述第二表面位于所述側墻結構下方的區(qū)域內形成第二P型摻雜區(qū)；
去除所述第二掩膜層；
在所述側墻結構背離所述平坦層的一側形成第三掩膜層，所述第三掩膜層覆蓋所述第二表面、所述第一表面和所述第一N型摻雜區(qū)，曝露所述側墻結構位于所述第三表面的部分；
以所述第三掩膜層為掩膜，在所述第三表面位于所述側墻結構下方的區(qū)域內形成第二N型摻雜區(qū)；
其中，所述第一掩膜層與所述第二掩膜層的材料不同，且所述第一掩膜層與所述第三掩膜層的材料不同。
4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜層的材料為氮化硅、鍺或氮氧化硅。
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