[發明專利]利用絕緣結構施加晶體管溝道應力的設備、方法和系統

在審

• 申請號: 201780094409.6
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN111033755A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: R.梅漢努
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/66;H01L21/8238
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 周學斌;申屠偉進

1.一種集成電路（IC）設備，包括：

緩沖層；

第一鰭部結構，其被設置在所述緩沖層上，所述第一鰭部結構包括：

第一晶體管的第一溝道區域；以及

第二晶體管的第二溝道區域；

凹陷結構，其形成在所述第一晶體管與所述第二晶體管之間的區域中，其中所述凹陷結構在所述第一鰭部結構下方延伸或至少部分地延伸穿過所述第一鰭部結構；以及

絕緣體，其被設置在所述凹陷結構中，其中所述第一溝道區域和所述第二溝道區域上的相應應力均是利用所述緩沖層和所述絕緣體兩者來施加的。

2.根據權利要求1所述的IC設備，其中所述第一溝道區域和所述第二溝道區域上的相應壓縮應力均是利用所述緩沖層和所述絕緣體兩者來施加的。

3.根據權利要求1所述的IC設備，其中所述第一溝道區域和所述第二溝道區域上的相應拉伸應力均是利用所述緩沖層和所述絕緣體兩者來施加的。

4.根據權利要求1所述的IC設備，其中所述凹陷結構完全延伸穿過所述第一鰭部結構。

5.根據權利要求1所述的IC設備，其中所述凹陷結構延伸到所述緩沖層。

6.根據權利要求1所述的IC設備，其中所述絕緣體鄰接所述第一晶體管和所述第二晶體管中的一個的源極/漏極區域。

7.根據權利要求1所述的IC設備，進一步包括設置在所述緩沖層上的第二鰭部結構，其中所述凹陷結構和所述絕緣體均在所述第二鰭部結構下方延伸或至少部分地延伸穿過所述第二鰭部結構。

8.一種方法，包括：

在緩沖層上形成第一鰭部結構；

在所述第一鰭部結構中形成：

第一晶體管的第一溝道區域；以及

第二晶體管的第二溝道區域；

在所述第一晶體管與所述第二晶體管之間的區域中形成凹陷結構，其中所述凹陷在所述第一鰭部結構下方延伸或至少部分地延伸穿過所述第一鰭部結構；以及

在所述凹陷結構中形成絕緣體，其中所述第一溝道區域和所述第二溝道區域上的相應應力均是利用所述緩沖層和所述絕緣體兩者來施加的。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一溝道區域和所述第二溝道區域上的相應壓縮應力均是利用所述緩沖層和所述絕緣體兩者來施加的。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述絕緣體包括氮化物。

11.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一溝道區域和所述第二溝道區域上的相應拉伸應力均是利用所述緩沖層和所述絕緣體兩者來施加的。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述絕緣體包括氧化物。

13.根據權利要求8所述的方法，其中所述凹陷結構完全延伸穿過所述第一鰭部結構。

14.根據權利要求8所述的方法，其中所述凹陷結構延伸到所述緩沖層。

15.根據權利要求8所述的方法，其中所述絕緣體鄰接所述第一晶體管和所述第二晶體管中的一個的源極/漏極區域。

16.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：第二鰭部結構被設置在所述緩沖層上，其中所述凹陷結構和所述絕緣體均在所述第二鰭部結構下方延伸或至少部分地延伸穿過所述第二鰭部結構。

17.根據權利要求8所述的方法，其中形成所述絕緣體包括：

在所述凹陷結構中沉積絕緣材料；以及

在所述沉積之后，對所述絕緣材料進行摻雜以引起壓縮應力。