[發(fā)明專利]離子銑削裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780094365.7
• 申請(qǐng)日: 2017-09-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111095474B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金子朝子;高須久幸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立高新技術(shù)
• 主分類號(hào): H01J37/30
• 分類號(hào): H01J37/30;H01J37/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 劉文海

本發(fā)明的目的在于提供一種減少通過(guò)離子束照射而被彈飛的來(lái)自試樣的微粒再次附著于離子銑削面的現(xiàn)象的技術(shù)。在本發(fā)明的離子銑削裝置中，具備：離子源，其照射離子束；腔室；試樣臺(tái)，其在腔室內(nèi)載置試樣；遮蔽板，其載置于試樣；以及磁鐵，其配置在腔室內(nèi)，由此能夠減少來(lái)自試樣的微粒的再次附著。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及離子銑削裝置。

背景技術(shù)

離子銑削裝置是如下裝置：利用使能量及方向一致的離子束加速并照射至試樣，從試樣表面彈飛試樣原子的濺射現(xiàn)象來(lái)切削試樣的剖面及表面，作為掃描電子顯微鏡(SEM)等試樣前處理裝置，在廣泛的領(lǐng)域中得到應(yīng)用。如專利文獻(xiàn)1所記載的那樣，通常有平面銑削法和剖面銑削法，在前者的平面銑削法中，是使離子束直接照射到試樣表面而切削試樣的方法，如專利文獻(xiàn)2所記載的那樣，具有能夠切削試樣的寬范圍的特征。另一方面，在后者的剖面銑削中，為了防止由試樣加工時(shí)的離子束散射引起的加工目標(biāo)位置以外的試樣損傷，可以在加工目標(biāo)位置以外的試樣上表面配置遮蔽板，將從遮蔽板的端面突出數(shù)μm～200μm程度的試樣的剖面沿著遮蔽板的端面平滑地加工。此時(shí)，產(chǎn)生濺射的試樣的分子再次附著于試樣的加工面的現(xiàn)象，若濺射顆粒附著在觀察及分析目標(biāo)部分上，則在利用SEM等進(jìn)行加工面的觀察的情況下，成為觀察的缺陷。在此，作為減少濺射顆粒再次附著于加工面的現(xiàn)象的對(duì)策，有設(shè)置使用專利文獻(xiàn)3所公開(kāi)的冷卻機(jī)構(gòu)的污染物捕集器的方法。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2013－201028號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)平3－36285號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2016－173874號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

在剖面銑削中，存在如下問(wèn)題：通過(guò)離子束照射而濺射的來(lái)自試樣的微粒再次附著于離子銑削面，在掃描電子顯微鏡(SEM)等中難以進(jìn)行離子銑削面的觀察。在專利文獻(xiàn)3所公開(kāi)的使用污染物捕集器的技術(shù)中，在不需要試樣冷卻的加工的情況下，不是有效的方法。

本發(fā)明的目的在于提供一種減少通過(guò)離子束照射而被彈飛的來(lái)自試樣的微粒再次附著于離子銑削面的現(xiàn)象的技術(shù)。

用于解決課題的方案

在本發(fā)明的離子銑削裝置中，具有：離子源，其照射離子束；腔室；試樣臺(tái)，其在腔室內(nèi)載置試樣；遮蔽板，其載置于試樣；以及磁鐵，其配置在腔室內(nèi)，由此解決上述的課題。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠減少通過(guò)離子束照射而被彈飛的來(lái)自試樣的微粒再次附著于離子銑削面的現(xiàn)象，進(jìn)而能夠在掃描電子顯微鏡(SEM)等中觀察在良好的離子銑削面上加工的試樣。

附圖說(shuō)明

圖1是通常的離子銑削裝置的結(jié)構(gòu)圖。

圖2(a)是使用了永磁鐵的離子銑削裝置的示意圖。

圖2(b)是從試樣濺射的微粒的示意圖。

圖3(a)是使用了永磁鐵的試樣臺(tái)的俯視圖。

圖3(b)是使用了永磁鐵的試樣臺(tái)的側(cè)視圖。

圖4(a)是使用了永磁鐵的試樣臺(tái)的俯視圖。

圖4(b)是使用了永磁鐵的試樣臺(tái)的側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1